[发明专利]一种金属-氧化物-金属电容的形成方法

权利要求书

1.一种金属-氧化物-金属(MOM)电容的形成方法，其中，所述金属-氧化物-金属电容包括第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极均采用指状结构，分别由数个相互平行的指状极板单端相连而成，所述第一电极与第二电极相对交错排布，位于同层绝缘介质中；

其特征在于，所述形成方法包括如下步骤：

提供一晶圆基底；

在所述晶圆基底上沉积金属层；

在所述金属层表面沉积硬掩膜介质层；

在所述硬掩膜介质层上涂布第一光刻胶层，通过曝光、显影，在所述第一光刻胶层定义第一电极图形，完成第一次图形化工艺；

对经过图形化的所述第一光刻胶层进行固化处理；

在所述晶圆表面涂布第二光刻胶层，通过曝光、显影，在所述第二光刻胶层定义第二电极图形，完成第二次图形化工艺；

以经过图形化的所述第一光刻胶层和第二光刻胶层为掩膜，对所述硬掩膜介质层进行刻蚀；

以经过刻蚀的所述硬掩膜介质层为掩膜，对所述金属层进行刻蚀，在所述金属层中分别形成第一电极与第二电极，从而得到小于设计规则及光刻工艺约束的极板间间距；

在所述晶圆表面沉积绝缘介质层，形成金属-氧化物-金属电容。

2.如权利要求1所述的一种金属-氧化物-金属(MOM)电容的形成方法，其特征在于，在对所述硬掩膜介质层进行刻蚀后，还包括去除所述第一光刻胶层和第二光刻胶层的步骤。

3.如权利要求1所述的一种金属-氧化物-金属(MOM)电容的形成方法，其特征在于，在所述金属层表面沉积硬掩膜介质层是通过等离子增强化学气相沉积工艺实现的。

4.如权利要求1所述的一种金属-氧化物-金属(MOM)电容的形成方法，其特征在于，对经过图形化的所述第一光刻胶层进行固化处理是通过光刻胶的后烘烤工艺实现的。

5.如权利要求1所述的一种金属-氧化物-金属(MOM)电容的形成方法，其特征在于，对经过图形化的所述第一光刻胶层进行固化处理所采用的温度为100℃～250℃。

6.如权利要求1所述的一种金属-氧化物-金属(MOM)电容的形成方法，其特征在于，在所述晶圆表面沉积绝缘介质层后，还包括利用化学抛光工艺对所述绝缘介质层进行平坦化步骤。

7.如权利要求1所述的一种金属-氧化物-金属(MOM)电容的形成方法，其特征在于，所述金属层的材料为铝。

8.如权利要求1所述的一种金属-氧化物-金属(MOM)电容的形成方法，其特征在于，所述晶圆基底包括衬底及形成在所述衬底上的前道器件和N层后道金属层，其中，N为大于等于零的整数。

9.一种金属-氧化物-金属(MOM)电容的形成方法，其中，所述金属-氧化物-金属电容包括第一电极和第二电极，所述第一电极和第二电极均采用指状结构，分别由数个相互平行的指状极板单端相连而成，所述第一电极与第二电极相对交错排布，位于同层绝缘介质中；

其特征在于，所述形成方法包括如下步骤：

提供一晶圆基底；

在所述晶圆基底上沉积金属层；

在所述金属层表面涂布第一光刻胶层，通过曝光、显影，在所述第一光刻胶层定义第一电极图形，完成第一次图形化工艺；

对经过图形化的所述第一光刻胶层进行固化处理；

在所述晶圆表面涂布第二光刻胶层，通过曝光、显影，在所述第二光刻胶层定义第二电极图形，完成第二次图形化工艺；

以经过图形化的所述第一光刻胶层和第二光刻胶层为掩膜，对所述金属层进行刻蚀，在所述金属层中分别形成第一电极和第二电极，从而得到小于设计规则及光刻工艺约束的极板间间距；

在所述晶圆表面沉积绝缘介质层，形成金属-氧化物-金属电容。

10.如权利要求9所述的一种金属-氧化物-金属(MOM)电容的形成方法，其特征在于，对经过图形化的所述第一光刻胶层进行固化处理是通过光刻胶的后烘烤工艺实现的；对经过图形化的所述第一光刻胶层进行固化处理所采用的温度为100℃～250℃。