[发明专利]一种电化学沉积制备铜铟镓硒预制层的方法有效
申请号: | 201210405257.6 | 申请日: | 2012-10-22 |
公开(公告)号: | CN103779438B | 公开(公告)日: | 2016-10-26 |
发明(设计)人: | 郭伟民;黄迎春;曾波明;廖成;刘焕明 | 申请(专利权)人: | 中物院成都科学技术发展中心 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;C25D7/12 |
代理公司: | 四川力久律师事务所 51221 | 代理人: | 王芸;陈明龙 |
地址: | 610031 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电化学 沉积 制备 铜铟镓硒 预制 方法 | ||
1.一种电化学沉积制备铜铟镓硒预制层的方法,包括在电沉积溶液中,采用电流控制脉冲或者电压控制脉冲在阴极衬底上电沉积得到铜铟镓硒预制层,其特征在于:所述电流控制脉冲或者电压控制脉冲包括电流及电压在沉积表面都达到负值的正向脉冲时期和电流及电压在沉积表面都达到正值的反向脉冲时期。
2.根据权利要求1所述的电化学沉积制备铜铟镓硒预制层的方法,其特征在于:所述电沉积溶液为离子液体体系。
3.根据权利要求1所述的电化学沉积制备铜铟镓硒预制层的方法,其特征在于,所述电流控制脉冲的脉冲条件为:正向脉冲时期的工作时间为3毫秒~1秒,电流密度-0.05ASD~-5ASD;反向脉冲时期的工作时间为1毫秒~0.5秒,电流密度为0.1ASD~20ASD。
4.根据权利要求1所述的电化学沉积制备铜铟镓硒预制层的方法,其特征在于,所述电压控制脉冲的脉冲条件为:正向脉冲时期的工作时间为3毫秒~1秒,电压-0.5V~-8.0V;反向脉冲时期的工作时间为1毫秒~0.5秒,电压0.1V~5.0V。
5.根据权利要求1所述的电化学沉积制备铜铟镓硒预制层的方法,其特征在于,所述电沉积溶液中铜、铟、镓、硒离子的浓度分别为0.1mM-50mM、0.1mM-60mM、0.1mM-80mM、0.1mM-50mM。
6.根据权利要求2所述的电化学沉积制备铜铟镓硒预制层的方法,其特征在于,所述离子液体体系的溶剂由氯化胆碱和尿素组成,氯化胆碱与尿素的重量比为1 : 0.5-5。
7.根据权利要求6所述的电化学沉积制备铜铟镓硒预制层的方法,其特征在于,氯化胆碱与尿素的重量比为1:2。
8.根据权利要求5所述的电化学沉积制备铜铟镓硒预制层的方法,其特征在于,电沉积溶液中全部或部分铜离子是由阳极氧化后进入电沉积溶液。
9.根据权利要求5所述的电化学沉积制备铜铟镓硒预制层的方法,其特征在于,电沉积溶液中全部或部分镓离子是由阳极氧化后进入电沉积溶液。
10.根据权利要求5所述的电化学沉积制备铜铟镓硒预制层的方法,其特征在于,电沉积溶液中全部或部分铟离子是由阳极氧化后进入电沉积溶液。
11.根据权利要求5所述的电化学沉积制备铜铟镓硒预制层的方法,其特征在于,电沉积溶液中全部或部分硒离子是由阳极氧化后进入电沉积溶液。
12.根据权利要求1~11所述的任一电化学沉积方法制备的铜铟镓硒预制层,其特征在于:采用所述反向脉冲参与沉积预制层的厚度为整体预制层厚度的20%以上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的