[发明专利]一种铜铟镓硒薄膜预制层及其制备方法有效
| 申请号： | 201210405315.5 | 申请日： | 2012-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN103779439A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 郭伟民;廖成;黄迎春;曾波明;刘焕明 | 申请（专利权）人： | 中物院成都科学技术发展中心 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/032 |
| 代理公司： | 四川力久律师事务所 51221 | 代理人： | 王芸;刘雪莲 |
| 地址： | 610031 四*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 铜铟镓硒 薄膜 预制 及其 制备 方法 | ||
1.一种铜铟镓硒薄膜预制层，其特征在于，包括0.03～1.5μm厚的铜层和0.15～3.5μm厚的铜铟镓硒层，所述铜铟镓硒层化学式为CuInaGabSec，其中，a的为0.01～5，b为0.01～5，c为0.01～10；并且，铜在铜铟镓硒层中原子比例在15%以下。
2.如权利要求1所述的铜铟镓硒薄膜预制层的制备方法，其特征在于，所述的铜层的厚度为0.05～0.5μm。
3.如权利要求1所述的铜铟镓硒薄膜预制层的制备方法，其特征在于，所述铜铟镓硒层的厚度为0.5～2μm。
4.如权利要求1所述的铜铟镓硒薄膜预制层的制备方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
基板镀铜，先在包含导电钼层的玻璃基板上镀一层0.03～1.5μm的铜；
制备铜铟镓硒层，在步骤（1）得到的铜层上制备0.15～3.5μm厚的铜铟镓硒层，其化学式为CuInaGabSec，其中，a的为0.01～5，b为0.01～5，c为0.01～10；并且，铜在铜铟镓硒层中原子比例小于15%。
5.如权利要求4所述的铜铟镓硒薄膜预制层的制备方法，其特征在于，所述铜层通过溅射制得。
6.如权利要求4所述的铜铟镓硒薄膜预制层的制备方法，其特征在于，所述铜层通过电化学沉积制得。
7.如权利要求4所述的铜铟镓硒薄膜预制层的制备方法，其特征在于，所述铜层通过纳米粒子涂覆制得。
8.如权利要求4所述的铜铟镓硒薄膜预制层的制备方法，其特征在于，所述铜层通过热蒸发制得。
9.如权利要求4所述的铜铟镓硒薄膜预制层的制备方法，其特征在于，所述铜铟镓硒层通过热蒸发制得。
10.如权利要求4所述的铜铟镓硒薄膜预制层的制备方法，其特征在于，所述铜铟镓硒层通过溅射制得。
11.如权利要求4所述的铜铟镓硒薄膜预制层的制备方法，其特征在于，所述铜铟镓硒层通过电化学沉积制得。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
