[发明专利]一种非晶硅平坦化方法

权利要求书

1.一种非晶硅平坦化方法，其特征在于，所述的方法具体包括如下步骤：

步骤S1：在具有台阶（102）的衬底（101）上淀积并完全覆盖一层非晶硅层（103）；

 步骤S2：在所述非晶硅层（103）上旋涂一层有机材料层（104），以使所述有机材料层（104）完全覆盖于所述非晶硅层（103）上；

 步骤S3：通过刻蚀所述有机材料层（104）和非晶硅层（103），以完全去除所述有机材料层（104），获得所需厚度且表面平坦的所述非晶硅层（103）。

2.根据权利要求1所述的非晶硅平坦化方法，其特征在于，所述台阶（102）的高度为0.2-5um。

3.根据权利要求1所述的非晶硅平坦化方法，其特征在于，所述非晶硅层（103）是采用CVD或者PVD工艺淀积的。

4.根据权利要求1所述的非晶硅平坦化方法，其特征在于，所述非晶硅层（103）是可以选择性地进行P型或者N型掺杂。

5.根据权利要求4所述的非晶硅平坦化方法，其特征在于，所述P型掺杂是对非晶硅层（103）进行硼掺杂。

6.根据权利要求5所述的非晶硅平坦化方法，其特征在于，所述硼掺杂的非晶硅层（103）厚度为0.5-20um，其中，所述非晶硅层（103）上表面的台阶高度为0.2-5um。

7.根据权利要求4所述的非晶硅平坦化方法，其特征在于，所述N型掺杂是对非晶硅层（103）进行磷、砷或锑掺杂。

8.根据权利要求1所述的非晶硅平坦化方法，其特征在于，所述有机材料层（104）是采用旋涂工艺淀积的，其中所述有机材料层（104）上表面为平坦化表面。

9.根据权利要求1所述的非晶硅平坦化方法，其特征在于，所述刻蚀所述有机材料层（104）和非晶硅层（103）采用的气体为氟基气体、氯基气体、氧气、氩气、氦气中的两种或者几种混合气体。

10.根据权利要求1所述的非晶硅平坦化方法，其特征在于，所述刻蚀所述有机材料层（104）和非晶硅层（103）的刻蚀速率相同。