[发明专利]离子缔合物对不同金属离子去除率的测试方法无效
申请号: | 201210405350.7 | 申请日: | 2012-10-11 |
公开(公告)号: | CN103728260A | 公开(公告)日: | 2014-04-16 |
发明(设计)人: | 艾佳 | 申请(专利权)人: | 艾佳 |
主分类号: | G01N21/31 | 分类号: | G01N21/31 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610041 四*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 离子 缔合 不同 金属 去除 测试 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种离子缔合物对不同金属离子去除率的测试方法。
背景技术
缔合物,又称离子缔合物。是指由金属配位离子与异电性离子以静电引力的作用结合成不带电的化合物。
缔合物具有疏水性,而能被有机溶剂萃取。而且其容量大,有利于基体元素的分离。
缔合物的存在形式大致有以下三类:
(1)形成羊盐的缔合物。能发生这类萃取的萃取剂是含氧的有机溶剂,如醚类、醇类、酮类和酯类等,常用的有乙醚、环己醇、甲基异丁基甲酮(MIBK)、乙酸乙酯等;
(2)形成铵盐的缔合物,如次甲基蓝在酸性条件下与BF4-缔合成铵盐缔合物。发生这类萃取要用含氮的有机萃取剂,如大分子胺和碱性染料等;
(3)形成其他缔合物。如砷盐(R4As+)、鳞盐(R4P+)与ReO4-形成缔合物。
离子缔合物是由金属配位离子与异电性离子以静电引力的作用结合成不带电的化合物,称为离子缔合物,此缔合物具有疏水性而能被有机溶剂萃取。可以分为三类:(1)形成羊盐的缔合物。能发生这类萃取的萃取剂是含氧的有机溶剂,如醚类、醇类、酮类和酯类等,常用的有乙醚、环己醇、甲基异丁基甲酮(MIBK)、乙酸乙酯等;(2)形成铵盐的缔合物,如次甲基蓝在酸性条件下与BF4-缔合成铵盐缔合物。发生这类萃取要用含氮的有机萃取剂,如大分子胺和碱性染料等;(3)形成其他缔合物。如砷盐(R4As+)、鳞盐(R4P+)与ReO4-形成缔合物[(C6H5)4As+ReO4-]而被氯仿萃取。离子缔合物萃取的特点是容量大,有利于基体元素的分离。
离子缔合物适用于可以形成疏水性的离子缔合物的常量或微量金属离子,而离子的体积越大,电荷越少,越容易形成疏水性的离子缔合物
(1)金属阳离子的离子缔合物
水合金属阳离子与适当的配位剂作用,形成没有或很少配位水分子的配阳离子.然后与阴离子缔合,形成疏水性的离子缔合物。
(2)金属配阴离子或无机酸根的离子缔合物
许多金属离子能形成配阴离于(如GaCl4-);许多无机酸在水溶液中以阴离子形式存在(如WO42-),利用大分子量的有机阳离子形成硫水性的离子缔合物。
发明内容
本发明的目的在于克服上述现有技术的缺点和不足,提供一种离子缔合物对不同金属离子去除率的测试方法,该方法能快速测出离子缔合物对不同金属离子的去除率,测量精度高,测量步骤简单,大大降低了测量成本,为离子缔合物的应用提供了理论基础。
本发明的目的通过下述技术方案实现:一种离子缔合物对不同金属离子去除率的测试方法,包括以下步骤:
(a)制备实验所需的离子缔合物,以及不同金属离子溶液待用;
(b)取等量的不同金属离子溶液分别置于不同的实验容器中;
(c)分别向实验容器中等量的离子缔合物溶液;
(d)分别将实验容器置于相同温度的水浴中,并在室温下搅拌相同时间;
(e)取出上层清液测定其吸光度,根据吸光度求出不同金属离子的量;
(f)分析测得的铁离子的量,得到离子缔合物对不同金属离子的去除率。
所述实验容器为烧杯。
所述金属离子分别为铜离子,铁离子,铅离子。
综上所述,本发明的有益效果是:能快速测出离子缔合物对不同金属离子的去除率,测量精度高,测量步骤简单,大大降低了测量成本,为离子缔合物的应用提供了理论基础。
具体实施方式
下面结合实施例,对本发明作进一步的详细说明,但本发明的实施方式不仅限于此。
实施例:
本发明涉及的一种离子缔合物对不同金属离子去除率的测试方法,包括以下步骤:
(a)制备实验所需的离子缔合物,以及不同金属离子溶液待用;
(b)取等量的不同金属离子溶液分别置于不同的实验容器中;
(c)分别向实验容器中等量的离子缔合物溶液;
(d)分别将实验容器置于相同温度的水浴中,并在室温下搅拌相同时间;
(e)取出上层清液测定其吸光度,根据吸光度求出不同金属离子的量;
(f)分析测得的铁离子的量,得到离子缔合物对不同金属离子的去除率。
所述实验容器为烧杯。
所述金属离子分别为铜离子,铁离子,铅离子。
通过上述方法测得的结果可知:离子缔合物与不同金属离子的反应大不相同,且与应用于铜离子时的去除率为最佳。
以上所述,仅是本发明的较佳实施例,并非对本发明做任何形式上的限制,凡是依据本发明的技术实质,对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化,均落入本发明的保护范围之内。
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