[发明专利]不同量子点沿一维纳米线分段组装的方法有效
申请号: | 201210405483.4 | 申请日: | 2012-10-22 |
公开(公告)号: | CN102916082A | 公开(公告)日: | 2013-02-06 |
发明(设计)人: | 黄婵燕;陈鑫;魏调兴;孙艳;戴宁 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海技术物理研究所 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;B82Y30/00;B82Y40/00 |
代理公司: | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人: | 郭英 |
地址: | 200083 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 不同 量子 点沿一维 纳米 分段 组装 方法 | ||
1.一种不同量子点沿一维纳米线分段组装的方法,其特征在于:它包括如下步骤:
首先,采用原子层沉积法在导电玻璃或硅衬底上沉积厚度为20-50纳米的氧化锌薄膜,并经过450℃退火0.5-1小时,以该层薄膜为种子层采用水热法制备垂直于衬底的氧化锌纳米线阵列;
其次,将纳米线阵列浸泡在巯基丙酸溶液中2小时进行表面修饰,取出并用氮气吹干再静置2小时后浸泡到油相量子点溶液中12-24小时,完成第一种量子点在第一段纳米线表面的组装;然后,将该结构浸泡在十八烷基三氯硅烷溶液中2小时,取出并在氮气氛围中自然干燥2小时后置于紫外灯下曝光1分钟,再采用水热法制备基于第一段纳米线末端的第二段纳米线;
接着将纳米结构浸泡在水相量子点溶液中12-24小时,完成第二种量子点在第二段纳米线表面的组装,并在快速退火炉中预充氮气30分钟,300℃热处理5分钟烧除纳米结构上的有机物,最终得到一种不同量子点沿一维纳米线的分段组装的纳米复合结构。
2.根据权利要求1所述的一种不同量子点沿一维纳米线分段组装的方法,其特征在于:所述的原子层沉积法是在温度为225-300℃、气压16-18hPa的真空腔体内通过脉冲方式交替输入气相的反应前驱体二乙基锌和水,沉积厚度控制精度达到纳米量级的氧化锌薄膜。
3.根据权利要求1所述的一种不同量子点沿一维纳米线分段组装的方法,其特征在于:所述的水热法其过程是将0.02M的六水硝酸锌、0.02M的六亚甲基四胺和1.5mM的聚乙烯亚胺混合配置成的前驱体溶液;并将该溶液与衬底放入聚四氟乙烯容器中,置于高压釜内在95℃环境下加热6-14小时得到氧化锌纳米线阵列。
4.根据权利要求1所述的一种不同量子点沿一维纳米线分段组装的方法,其特征在于:所述的巯基丙酸溶液是将巯基丙酸以1:9的体积比溶解在甲醇中形成的混合溶液。
5.根据权利要求1所述的一种不同量子点沿一维纳米线分段组装的方法,其特征在于:所述的油相量子点溶液是将表面修饰了油酸、油胺和三正辛基氧化膦分子的无机半导体量子点溶解在氯仿、甲苯或四氯化碳非极性溶剂中所形成的均匀液体。
6.根据权利要求1所述的一种不同量子点沿一维纳米线分段组装的方法,其特征在于:所述的十八烷基三氯硅烷溶液是将十八烷基三氯硅烷以10ul:7.6ml的体积比溶解在正己烷中形成的混合溶液。
7.根据权利要求1所述的一种不同量子点沿一维纳米线分段组装的方法,其特征在于:所述的紫外灯曝光是在URE-2000/35型深紫外光刻机上实现的。
8.根据权利要求1所述的一种不同量子点沿一维纳米线分段组装的方法,其特征在于:所述的水相量子点溶液是将表面修饰有巯基丙酸等非极性分子的无机半导体量子点溶解在去离子水中所形成的均匀液体。
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的