[发明专利]掺镨钨酸镥钾激光晶体及其制备方法在审
| 申请号： | 201210406070.8 | 申请日： | 2012-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN102888654A | 公开（公告）日： | 2013-01-23 |
| 发明（设计）人： | 王国富;余意;黄溢声;张莉珍;林州斌 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C30B29/32 | 分类号： | C30B29/32;C30B9/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掺镨钨酸镥钾 激光 晶体 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种掺镨钨酸镥钾激光晶体，其特征在于：该晶体的分子式为Pr3+:KLu(WO4)2，属于单斜晶系，具有C2/m空间群结构，晶胞参数为，Z=4，Dc=4.63 g/cm3。
2.如权利要求1所述的掺镨钨酸镥钾激光晶体，其特征在于：作为掺杂离子的Pr3+离子，其取代镥离子的晶格位置，其掺杂浓度在0.5at%~3at%之间。
3.一种权利要求1所述的掺镨钨酸镥钾激光晶体的制备方法，其特征在于：该晶体采用助熔剂法生长，所用助熔剂为K2W2O7，浓度在50at~70at%之间，生长温度在955~985℃之间，降温速率为0.5~1.5℃/天，晶体转速为5~30rpm。
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