[发明专利]微CMOS功率放大器无效
| 申请号： | 201210407077.1 | 申请日： | 2012-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN103715991A | 公开（公告）日： | 2014-04-09 |
| 发明（设计）人： | 尹圣万;朴锺振 | 申请（专利权）人： | 英泰有限公司 |
| 主分类号： | H03F1/02 | 分类号： | H03F1/02;H03F3/20;H01L23/58 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人： | 许伟群;郭放 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | cmos 功率放大器 | ||
1.一种微CMOS功率放大器，其特征在于，包括：
放大电路模块芯片，其构成为将放大功率的电路模块化成一体；以及
输出变压器，其将所述放大电路模块芯片的输出经由变压器电路输出到外部，
所述输出变压器通过多层结构的基板实现，所述放大电路模块芯片和所述输出变压器层压而构成。
2.根据权利要求1所述的微CMOS功率放大器，其特征在于，
在所述输出变压器中，一级线圈和二级线圈形成于相互不同的层上，并且所述层以所述一级线圈和所述二级线圈相互对置地层叠的方式层压。
3.根据权利要求1所述的微CMOS功率放大器，其特征在于，
所述放大电路模块芯片通过CMOS芯片来实现。
4.根据权利要求1所述的微CMOS功率放大器，其特征在于，所述输出变压器包括：
第二层，其形成一级线圈图案；
第一层，其形成第一输入端子图案和一级线圈连接图案，所述一级线圈连接图案经由通孔与所述一级线圈图案垂直地连接；
第三层，其形成二级线圈图案；以及
第四层，其形成第二输入端子图案和输出端子图案，所述第二输入端子图案经由通孔与所述第一输入端子图案垂直地连接，所述输出端子图案经由通孔与所述二级线圈图案垂直地连接，
所述第一层、所述第二层、所述第三层和所述第四层按顺序垂直地配置成一列。
5.根据权利要求4所述的微CMOS功率放大器，其特征在于，
所述放大电路模块芯片在所述第一层上层叠配置，所述放大电路模块芯片的外部端子经由引线与所述一级线圈图案或所述第一输入端子图案连接。
6.根据权利要求4所述的微CMOS功率放大器，其特征在于，
所述一级线圈图案的两个端部和所述二级线圈图案的两个端部位于相互相反的方向。
7.根据权利要求4所述的微CMOS功率放大器，其特征在于，
在所述第三层上将所述二级线圈图案的第一端部延长而形成延长部，在所述第二层上形成与所述延长部相对置的电容器图案，所述电容器图案和所述二级线圈图案的第二端部经由通孔连接。
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