[发明专利]高导电导热铜碲硒多元合金材料无效
申请号: | 201210407770.9 | 申请日: | 2012-10-24 |
公开(公告)号: | CN102912179A | 公开(公告)日: | 2013-02-06 |
发明(设计)人: | 朱达川 | 申请(专利权)人: | 四川大学 |
主分类号: | C22C9/00 | 分类号: | C22C9/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 610065 四川*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 导电 导热 铜碲硒 多元 合金材料 | ||
技术领域
本发明属于兼具高导电、导热、易切削综合性能的合金材料,特别涉及一种铜基多元合金材料。
背景技术
随着电子工业技术的飞速发展,电子元器件不断小型化,集成度也越来越高,对散热提出了更高的要求,为了保证电子元器件的正常工作,当前采用的散热方案是在芯片上加导热效果较好的纯铜散热器、芯片风扇的方式加以解决。但目前从大规模集成电路已进入到超大规模集成电路,单位面积上的晶体管越来越多,其耗能和散热将成为制约整个信息产业的大问题,甚而影响经济发展;同时通讯系统、控制系统的高速化,半导体照明的大功率化也面临同样的高性能散热需求,虽然工业纯铜具有良好的导热导电性能,但已不能满足对高导电导热材料的更高要求,因此迫切需要开发高导电导热材料。
目前的铜及铜合金,其热导率一般在300-400Wm-1k-1,例如公开号为CN1004813的中国发明专利公开的“铜锑合金”,其热导率为337 Wm-1k-1,纯铜、纯银的热导率分别为390 Wm-1k-1,416 Wm-1k-1。尽管近年来对该类材料的研究较多,如申请号为200310110909.4、200410022626.9的国家发明专利提出了高热导率铜碲合金,其热导率比纯银高23.6-26.7%,比纯铜高31-34%,但由于原料采用高纯铜、高纯碲,资源有限,使其应用受限。。
发明内容
本发明针对现有技术存在的不足,提供一种新型的铜基合金材料,此种合金材料不仅具有优良的导电导热性能,此外,还可以根据加工需要调整其切削性能。
本发明的技术方案:引入硒、碲及其它微量添加元素,利用微量添加元素去除熔炼过程中产生的气体以减少铸造缺陷,硒、碲改善切削性能。
本发明提供的铜碲硒多元合金材料含有铜、碲、硒和微量添加元素,铜、碲、硒和微量添加元素的重量百分比如下:
碲0.05—0.2%
硒0.1-0.4%
微量添加元素:0.01-0.1%
铜余量
上述微量添加元素至少为锂、镁、稀土中的一种或两种
制备铜碲硒多元合金材料的工艺为常规工艺,其工艺步骤包括配料、合金熔炼、浇注、冷热加工成型,原材料根据需要既可采用工业纯铜、工业纯碲、工业纯硒,也可采用高纯铜、高纯碲、高纯硒。
本发明具有以下有益效果:
导电、导热性能优异,电导率为90—103%IACS,热导率为450—500wm-1k-1
硒、碲的加入能改善合金材料的切削性能
具体实施方式:
实施例1:
1、配料
工业纯碲:5克
工业纯硒:40克
工业纯锂:2克
工业纯铜:余量
总计:10000克
2、熔炼浇注
首先在真空感应炉中装入工业纯铜,加热至1150℃,使纯铜熔清,然后分别加入碲、硒、锂继续熔炼,温度控制在1200℃,使合金元素在铜液中分布均匀,保温10-15分钟,熔炼完毕即浇注成铸锭。
本实施例制备的铜碲硒多元合金材料电导率为98%,热导率为495 wm-1k-1
实施例2:
1、配料
工业纯碲:8克
工业纯硒:35克
工业纯稀土:4克
工业纯铜:余量
总计:10000克
2、熔炼浇注
首先在真空感应炉中装入工业纯铜,加热至1150℃,使纯铜熔清,然后分别加入碲、硒、稀土继续熔炼,温度控制在1200℃,使合金元素在铜液中分布均匀,保温15-20分钟,熔炼完毕即浇注成铸锭。
本实施例制备的铜碲硒多元合金材料电导率为96%,热导率为487 wm-1k-1
实施例3:
1、配料
工业纯碲:12克
工业纯硒:30克
工业纯镁:3克
工业纯铜:余量
总计:10000克
2、熔炼浇注
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