[发明专利]用于X射线球管的场发射电子源有效
| 申请号： | 201210407837.9 | 申请日： | 2012-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN103779158B | 公开（公告）日： | 2017-02-15 |
| 发明（设计）人： | 李冬松;章健 | 申请（专利权）人： | 上海联影医疗科技有限公司 |
| 主分类号： | H01J35/06 | 分类号： | H01J35/06;H01J35/04;H01J35/14 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙)31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201815 上海市嘉*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 射线 发射 电子 | ||
1.一种用于X射线球管的场发射电子源，包括阳极、栅极和阴极，其特征在于：
所述阴极采用纳米线结构，由第一阴极和第二阴极组成，所述第二阴极呈阵列排布并与所述第一阴极相连；
所述栅极采用纳米线结构，呈阵列排布，并与所述第二阴极在行列方向相间隔排列，所述栅极与所述第一阴极间设有绝缘层。
2.如权利要求1所述的用于X射线球管的场发射电子源，其特征在于，所述栅极与所述第二阴极按M：N的比例间隔排列，其中M，N的取值为自然数。
3.如权利要求1所述的用于X射线球管的场发射电子源，其特征在于，所述纳米线结构的材料包括碳纳米管、半导体、金属材料或金属化合物材料中的一种或任意组合。
4.一种用于X射线球管的场发射电子源，包括阳极、栅极和阴极，其特征在于，
所述栅级采用纳米线结构，由第一栅极和第二栅极组成，所述第二栅极呈阵列排布并与所述第一栅极相连；
所述阴极采用纳米线结构，呈阵列排布，并与所述第二栅极在行列方向相间隔排列，所述阴极与所述第一栅极间设有绝缘层。
5.如权利要求4所述的用于X射线球管的场发射电子源，其特征在于，所述阴极与所述第二栅极按M：N的比例间隔排列，其中M，N的取值为自然数。
6.如权利要求4所述的用于X射线球管的场发射电子源，其特征在于，所述纳米线结构的材料包括碳纳米管、半导体、金属材料或金属化合物材料中的一种或任意组合。
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