[发明专利]低功耗EMCCD倍增信号驱动方法无效
申请号: | 201210407939.0 | 申请日: | 2012-10-24 |
公开(公告)号: | CN102883116A | 公开(公告)日: | 2013-01-16 |
发明(设计)人: | 张猛蛟;李秋利;于洪洲;刘庆飞;刘艳;简云飞 | 申请(专利权)人: | 中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心 |
主分类号: | H04N5/372 | 分类号: | H04N5/372 |
代理公司: | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人: | 董建林 |
地址: | 215163 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 功耗 emccd 倍增 信号 驱动 方法 | ||
1.一种低功耗EMCCD倍增信号驱动方法,其特征是,通过不同脉冲宽度、非交叠的两个输入信号分别驱动输出级的NMOS管和PMOS管,由所述NMOS管和PMOS管输出的信号驱动EMCCD。
2.根据权利要求1所述的低功耗EMCCD倍增信号驱动方法,其特征是,所述输入信号由一锁相环输出两个具有相位差和不同占空比的信号。
3.根据权利要求1所述的低功耗EMCCD倍增信号驱动方法,其特征是,所述输入信号通过门电路延迟和组合逻辑电路产生。
4.根据权利要求3所述的低功耗EMCCD倍增信号驱动方法,其特征是,一原始输入信号经门电路延迟后,分别与原始输入信号通过与、或逻辑门,产生两个脉冲宽度不同的输入信号。
5.根据权利要求1所述的低功耗EMCCD倍增信号驱动方法,其特征是,所述NMOS管和PMOS管的漏极输出的信号驱动EMCCD。
6.根据权利要求1所述的低功耗EMCCD倍增信号驱动方法,其特征是,所述输入信号经放大增强后驱动输出级。
7.根据权利要求6所述的低功耗EMCCD倍增信号驱动方法,其特征是,所述输入信号经门电路放大增强后驱动输出级。
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