[发明专利]低功耗EMCCD倍增信号驱动方法无效

专利信息
申请号: 201210407939.0 申请日: 2012-10-24
公开(公告)号: CN102883116A 公开(公告)日: 2013-01-16
发明(设计)人: 张猛蛟;李秋利;于洪洲;刘庆飞;刘艳;简云飞 申请(专利权)人: 中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心
主分类号: H04N5/372 分类号: H04N5/372
代理公司: 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 代理人: 董建林
地址: 215163 江*** 国省代码: 江苏;32
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 功耗 emccd 倍增 信号 驱动 方法
【权利要求书】:

1.一种低功耗EMCCD倍增信号驱动方法,其特征是,通过不同脉冲宽度、非交叠的两个输入信号分别驱动输出级的NMOS管和PMOS管,由所述NMOS管和PMOS管输出的信号驱动EMCCD。

2.根据权利要求1所述的低功耗EMCCD倍增信号驱动方法,其特征是,所述输入信号由一锁相环输出两个具有相位差和不同占空比的信号。

3.根据权利要求1所述的低功耗EMCCD倍增信号驱动方法,其特征是,所述输入信号通过门电路延迟和组合逻辑电路产生。

4.根据权利要求3所述的低功耗EMCCD倍增信号驱动方法,其特征是,一原始输入信号经门电路延迟后,分别与原始输入信号通过与、或逻辑门,产生两个脉冲宽度不同的输入信号。

5.根据权利要求1所述的低功耗EMCCD倍增信号驱动方法,其特征是,所述NMOS管和PMOS管的漏极输出的信号驱动EMCCD。

6.根据权利要求1所述的低功耗EMCCD倍增信号驱动方法,其特征是,所述输入信号经放大增强后驱动输出级。

7.根据权利要求6所述的低功耗EMCCD倍增信号驱动方法,其特征是,所述输入信号经门电路放大增强后驱动输出级。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心,未经中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201210407939.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top