[发明专利]用于EMCCD的低负载增益寄存器链无效
| 申请号： | 201210407988.4 | 申请日： | 2012-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN102883113A | 公开（公告）日： | 2013-01-16 |
| 发明（设计）人： | 张猛蛟;邹继鑫;陈远金;戴放;李传军 | 申请（专利权）人： | 中国兵器工业集团第二一四研究所苏州研发中心 |
| 主分类号： | H04N5/335 | 分类号： | H04N5/335;H04N5/372 |
| 代理公司： | 南京纵横知识产权代理有限公司 32224 | 代理人： | 董建林 |
| 地址： | 215163 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 emccd 负载 增益 寄存器 | ||
【权利要求书】：
1. 一种用于EMCCD的低负载增益寄存器链，包括多级增益寄存器构成的增益寄存器链，其特征是，所述多级增益寄存器的电荷存储容量沿电荷转移倍增的方向从小到大变化。
2.根据权利要求1所述的用于EMCCD的低负载增益寄存器链，其特征是，所述增益寄存器的电荷存储容量通过控制各增益寄存器的栅的尺寸来改变。
3.根据权利要求2所述的用于EMCCD的低负载增益寄存器链，其特征是，所述多级增益寄存器的栅的长度沿电荷转移方向递增变化，使相应的多级增益寄存器电荷存储容量沿电荷转移方向从小到大变化。
4.根据权利要求2所述的用于EMCCD的低负载增益寄存器链，其特征是，所述多级增益寄存器的栅的宽度沿电荷转移方向递增变化，使相应的多级增益寄存器电荷存储容量沿电荷转移方向从小到大变化。
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