[发明专利]一种半导体微波炉

权利要求书

1.一种半导体微波炉，其特征在于，包括：

半导体功率源，所述半导体功率源包括多个LDMOS管，所述多个LDMOS管根据自振荡电路产生预设频率的微波；

控制模块，所述控制模块与所述半导体功率源相连，用于输出控制信号控制所述多个LDMOS管以调整所述半导体功率源的工作频率；

供电电源，所述供电电源与所述半导体功率源和所述控制模块相连，用于输出直流电压以给所述半导体功率源和所述控制模块供电。

2.如权利要求1所述的半导体微波炉，其特征在于，所述控制模块还用于输出电压调节信号调节所述供电电源输出的直流电压以控制所述半导体功率源的输出功率。

3.如权利要求2所述的半导体微波炉，其特征在于，所述半导体功率源还包括：

功率合成器，所述多个LDMOS管的漏极并联后与所述功率合成器相连，所述功率合成器用于调整所述多个LDMOS管的输出阻抗，并控制所述多个LDMOS管输出的微波的相位相同；

偏压及控制子模块，所述多个LDMOS管的栅极并联后与所述偏压及控制子模块相连，所述偏压及控制子模块用于为所述多个LDMOS管提供偏压，并在所述控制模块输出的所述半导体功率源关断信号和频率调整信号的控制下通过调节所述偏压以调整所述半导体功率源的工作频率；

功率检测子模块，用于检测所述半导体功率源的反射功率和输出功率，根据所述反射功率和输出功率生成检测信号并将所述检测信号发送至所述控制模块。

4.如权利要求3所述的半导体微波炉，其特征在于，所述功率检测子模块进一步包括：

第一电阻，所述第一电阻的一端与所述反射功率的信号端相连；

第一控制芯片，所述第一控制芯片的第三管脚与所述第一电阻的另一端相连，所述第一控制芯片的第四管脚和第五管脚相连后接地，所述第一控制芯片的第二管脚接地；

第二电阻，所述第二电阻的一端与所述第一电阻的一端相连，所述第二电阻的另一端与所述第一控制芯片的第六管脚相连；

第三电阻，所述第三电阻的一端接地，所述第三电阻的另一端与所述第一控制芯片的第一管脚相连；

第一电容，所述第一电容的一端分别与所述第一控制芯片的第六管脚和所述第二电阻的另一端相连；

第四电阻，所述第四电阻的一端与所述第一电容的另一端相连，所述第四电阻的另一端分别与所述第一控制芯片的第一管脚和所述第三电阻的另一端相连。

5.如权利要求3所述的半导体微波炉，其特征在于，所述功率检测子模块还包括：

第二控制芯片，所述第二控制芯片的第四管脚和第五管脚相连后接地，所述第二控制芯片的第二管脚接地；

第二电容，所述第二电容的一端与所述第二控制芯片的第六管脚相连；

第五电阻，所述第五电阻的一端与所述第二电容的另一端相连，所述第五电阻的另一端与所述第二控制芯片的第一管脚相连；

第六电阻，所述第六电阻的一端与所述第二控制芯片的第一管脚相连，所述第六电阻的另一端接地；

第七电阻，所述第七电阻的一端与所述第二控制芯片的第六管脚相连，所述第七电阻的另一端与所述输出功率的信号端相连；

第八电阻，所述第八电阻的一端与所述第二控制芯片的第三管脚相连，所述第八电阻的另一端与第七电阻的另一端相连。

6.如权利要求3所述的半导体微波炉，其特征在于，所述偏压及控制子模块进一步包括：

串联的第九电阻和稳压二极管，所述稳压二极管的正极端接地，所述第九电阻的一端与所述半导体功率源的直流电源输入端相连；

第三电容，所述第三电容的一端与所述第九电阻的一端相连，所述第三电容的另一端接地；

可变电容，所述可变电容的一端与所述第九电阻的一端相连，所述可变电容的另一端接地，所述可变电容的控制端与所述控制模块相连；

三极管，所述三极管的发射极与所述第九电阻和稳压二极管之间的节点相连；

第十电阻，所述第十电阻的一端与所述控制模块相连，所述第十电阻的另一端与所述三极管的基极相连；

可变电阻，所述可变电阻的一端与所述三极管的集电极相连，所述可变电阻的另一端接地；

第十一电阻，所述第十一电阻的一端与所述可变电阻的控制端相连，所述第十一电阻的另一端分别与所述多个LDMOS管的栅极相连。