[发明专利]含荧蒽的有机半导体材料及其制备和有机电致发光器件

权利要求书

1.一种含荧蒽的有机半导体材料，其特征在于，该材料为如下结构式所示的化合物P：

其中，Ar为

2.一种含荧蒽的有机半导体材料的制备方法，其特征在于包括如下步骤:分别提供如下结构式表示的化合物A和化合物B：

A为B为：Ar为

在无氧状态和惰性气体氛围中，将所述化合物A、所述化合物B与有机钯催化剂混合，然后加入碱性溶液与有机溶剂，加热进行Suzuki耦合反应，制得含荧蒽的有机半导体材料，即化合物P，

其中，Ar为

3.如权利要求2所述的含荧蒽的有机半导体材料的制备方法，其特征在于，所述化合物A与化合物B的摩尔比为1:(1~2)。

4.如权利要求2所述的含荧蒽的有机半导体材料的制备方法，其特征在于，所述有机钯催化剂与化合物A的摩尔比为(0.05~0.1):1。

5.如权利要求2所述的含荧蒽的有机半导体材料的制备方法，其特征在于，所述有机钯催化剂为四(三苯基膦)钯、双(三苯基膦)二氯化钯或三(二亚苄基丙酮)二钯中的一种或多种。

6.如权利要求2所述的含荧蒽的有机半导体材料的制备方法，其特征在于，所述碱性溶液为2mol/L的Cs₂CO₃水溶液、K₂CO₃水溶液或Na₂CO₃水溶液中的一种或多种；所述碱性溶液中溶质的摩尔用量为化合物A的摩尔用量的20～25倍。

7.如权利要求2所述的含荧蒽的有机半导体材料的制备方法，其特征在于，所述有机溶剂为四氢呋喃、乙二醇二甲醚或甲苯。

8.如权利要求2所述的含荧蒽的有机半导体材料的制备方法，其特征在于，所述Suzuki耦合反应的反应温度为75～120℃，反应时间为24～48小时。

9.如权利要求2所述的含荧蒽的有机半导体材料的制备方法，其特征在于，所述含荧蒽的有机半导体材料的制备方法进一步包括分离纯化的步骤，所述分离纯化的步骤如下：将反应结束后得到的含有含荧蒽的有机半导体材料的反应液加入饱和氯化铵水溶液中，用二氯甲烷萃取，有机相用氯化钠水溶液洗，干燥，旋蒸除去二氯甲烷后得到粗产物，随后将粗产物进行硅胶柱层析分离提纯，得到提纯后的含荧蒽的有机半导体材料。

10.一种有机电致发光器件，包括阳极、功能层、发光层和阴极，其特征在于，所述发光层的材质为权利要求1所述的如下结构式所示的含荧蒽的有机半导体材料，即化合物P：

其中，Ar为