[发明专利]基于DLC薄膜涂层的陶瓷基板

权利要求书

1.基于DLC薄膜涂层的陶瓷基板，其特征在于：包括陶瓷基板（1），和依次沉积在所述陶瓷基板（1）表面上通过PVD技术制备的用于绝缘导热的DLC复合涂层（2）、以及用于导电的铜箔（4）。

2.根据权利要求1所述的基于DLC薄膜涂层的陶瓷基板，其特征在于：在所述DLC复合涂层（2）和所述铜箔（4）之间还设有金属过渡层（3）。

3.根据权利要求2所述的基于DLC薄膜涂层的陶瓷基板，其特征在于：所述金属过渡层（3）为Ti涂层或Cr涂层或Ni涂层。

4.根据权利要求3所述的基于DLC薄膜涂层的陶瓷基板，其特征在于：所述DLC复合涂层（2）包括DLC涂层、和起过渡作用的Si涂层。

5.根据权利要求4所述的基于DLC薄膜涂层的陶瓷基板，其特征在于：所述PVD技术制备包括磁控溅射方法、离子束方法或热蒸发方法。

6.根据权利要求5所述的基于DLC薄膜涂层的陶瓷基板，其特征在于：所述Si涂层的厚度为250nm～300nm，所述DLC涂层的厚度为2.0um～2.5um，所述金属过渡层（3）的厚度为0.5um～1.5um，所述铜箔（4）的厚度为30um～70um。

7.一种基于DLC薄膜涂层的陶瓷基板的制备方法，其特征在于：

步骤一，陶瓷基板清洗步骤，依次包括如下步骤：

（1）用溶剂型清洗介质在超声波环境下清洗陶瓷基板，烘干后再将陶瓷基板放入镀膜真空室，抽真空至真空度1×10^-3Pa、加热至温度150℃条件下；

（2）对步骤（1）的陶瓷基板进行离子清洗，打开离子束电源，向真空镀膜室引入高纯Ar气，保持真空镀膜室的真空度1.2～2.0×10^-1Pa，施加在离子束上的直流电压为1200V～1800V、直流电源120mA～200mA，施加在陶瓷基板上的偏压为射频RF电压、其功率为50W～250W，离子清洗时长为20～30min；

步骤二，DLC复合涂层沉积步骤，依次包括Si涂层沉积步骤和DLC涂层沉积步骤，其中：

Si涂层沉积步骤：打开磁控溅射电源，向真空镀膜室引入高纯Ar气，保持真空镀膜室的真空度1.2～3.0Pa，施加在磁控溅射阴极上的电源为直流电源、其功率为2～3kW，施加在陶瓷基板上的偏压为射频RF电压、其功率为150W～250W，Si涂层沉积时长10～15min，得到的Si涂层厚度为250nm～300nm；

DLC涂层沉积步骤，其依次包括如下步骤：

①打开离子束电源，向真空镀膜室引入高纯C₂H₂气体；

②保持工艺过程中真空镀膜室的真空度3.0～5.0×10^-1Pa；

③在离子束上施加直流电压1600V～2000V、直流电源150mA～220mA；在陶瓷基板上施加射频RF电压、其功率为150W～250W，开始镀膜；

④DLC涂层沉积时长120～150min，得到厚度为2.0um～2.5um的DLC涂层；

步骤三，铜箔沉积步骤，采用磁控溅射技术或热蒸发技术或电子束技术沉积铜箔。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于：在步骤二和步骤三之间还包括金属过渡涂层沉积步骤，采用磁控溅射技术或热蒸发技术或电子束技术，在DLC复合涂层上沉积金属过度涂层，所述金属过渡层为Ti涂层或Cr涂层或Ni涂层。