[发明专利]透明电极层积体无效
申请号: | 201210410028.3 | 申请日: | 2012-09-27 |
公开(公告)号: | CN103021532A | 公开(公告)日: | 2013-04-03 |
发明(设计)人: | 内藤胜之;堤荣史;吉永典裕;赤坂芳浩 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01B5/14 | 分类号: | H01B5/14;H01B13/00 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 韩宏;陈松涛 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 透明 电极 层积 | ||
1.一种透明电极层积体,其特征在于,包括:
透明基板;以及
电极层,所述电极层形成在所述透明基板上并包括金属纳米线的三维网络,所述电极层包括第一导电区域和与所述第一导电区域相邻的第二导电区域,所述第一导电区域中的所述金属纳米线的表面起反应,以形成反应产物,所述第二导电区域中的所述金属纳米线的表面未反应,所述第二区域具有比所述第一导电区域的电导率高的电导率,并具有光透明度。
2.根据权利要求1所述的层积体,其特征在于:所述金属纳米线的直径为从20到200nm。
3.根据权利要求2所述的层积体,其特征在于:所述金属纳米线的直径为从60到150nm。
4.根据权利要求1所述的层积体,其特征在于:所述金属纳米线的平均长度为从1到100μm。
5.根据权利要求1所述的层积体,其特征在于:所述金属纳米线的长度与直径之比(长度/直径)为从100到1000。
6.根据权利要求1所述的层积体,其特征在于:所述电极层的厚度为从30到300nm。
7.根据权利要求1所述的层积体,其特征在于:还包括在所述第一导电区域与所述第二导电之间的缓冲区,所述缓冲区中的所述金属纳米线的反应产物的数量少于所述第一导电区域的反应产物的数量。
8.根据权利要求1所述的层积体,其特征在于:所述金属纳米线由银或者银合金制成,并且所述反应产物选自硫化物、氧化物以及卤化物。
9.根据权利要求8所述的层积体,其特征在于:所述银合金包括从由钯、铟、金、铋以及铜组成的组中选择的至少一种。
10.根据权利要求1所述的层积体,其特征在于:所述金属纳米线由铜或者铜合金制成,并且所述反应产物选自氧化物和卤化物。
11.根据权利要求10所述的层积体,其特征在于:所述铜合金包括从由金、银、锌、镍以及铝组成的组中选择的至少一种。
12.根据权利要求1所述的层积体,其特征在于:所述电极层还包括碳层,所述碳层包括石墨烯并形成在金属纳米线的所述三维网络的至少一个表面上。
13.根据权利要求12所述的层积体,其特征在于:在所述石墨烯中的一部分碳由氮来代替。
14.根据权利要求13所述的层积体,其特征在于:在所述石墨烯中的氮与碳的原子比(N/C)为从1/200到1/10。
15.根据权利要求1所述的层积体,其特征在于:还包括形成在所述电极层上的反应抑制层。
16.根据权利要求1所述的层积体,其特征在于:所述透明基板为具有0.1到5mm厚度的玻璃基板。
17.根据权利要求1所述的层积体,其特征在于:所述透明基板为具有0.1到10mm厚度的有机材料基板。
18.一种用于制造透明电极层积体的方法,其特征在于,包括:
将金属纳米线的三维网络形成在透明基板上,所述三维网络具有电导率;
选择性地将保护膜形成在所述三维网络的预定区域上,以将所述三维网络分为暴露区域和非暴露区域;
选择性地使所述暴露区域中的金属纳米线反应,以降低所述暴露区域中的电导率,同时保持所述非暴露区域中的电导率;以及
去除所述保护膜以获得图案化的电极层,所述图案化的电极层包括具有降低的电导率的第一区域和具有保持的电导率的第二区域。
19.根据权利要求18所述的方法,其特征在于:所述金属纳米线的材料包括银,并且所述金属纳米线通过硫化进行反应。
20.根据权利要求18所述的方法,其特征在于:通过图案印刷保护膜溶液形成所述保护膜。
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