[发明专利]监控金属工艺后短路或断路的测试结构

权利要求书

1.一种监控金属工艺后短路或断路的测试结构，其特征在于：包含：

至少3根等距平行走线的金属线，最外侧及最内侧金属线围成封闭或者不封闭的矩形，中间金属线围成非封闭矩形，且中间金属线每边上均具有几字型内弯，相应内侧金属线每边上对应中间金属线也具有平行等距的几字型内弯，外侧金属线具有T字型突起线端，突起线端放置于中间金属线的几字内弯内，所述内侧金属线形成的封闭矩形四个内角内均放置一个金属岛区。

2.如权利要求1所述的监控金属工艺后短路或断路的测试结构，其特征在于：所述的至少3根的金属线，其中间金属线是回字形的非封闭的矩形，内侧金属线和外侧金属线是形成回字形的封闭或者非封闭的矩形。

3.如权利要求1所述的监控金属工艺后短路或断路的测试结构，其特征在于：所述的中间金属线每边上的几字型内弯是设置一个，或者是多个，且外侧金属线每边上的T字型突起数相应增加，以保证中间金属线每个内弯里都放置有外侧金属线的T字线端；同时内侧金属线的几字内弯随中间金属线相应增加以保持平行等间距走线。

4.如权利要求3所述的监控金属工艺后短路或断路的测试结构，其特征在于：所述的中间金属线几字弯是向封闭结构的内侧弯曲，或者是向外侧弯曲。

5.如权利要求4所述的监控金属工艺后短路或断路的测试结构，其特征在于：当所述中间金属线的几字型弯是向外侧弯曲时，则T字型突起线端位于内侧金属线上并放置于中间金属线的几字弯内。

6.如权利要求1所述的监控金属工艺后短路或断路的测试结构，其特征在于：所述的测试结构是单独一个使用，或者是多个排成阵列使用。

7.如权利要求6所述的监控金属工艺后短路或断路的测试结构，其特征在于：当所述测试结构为多个组成阵列使用时，各个测试结构单元内的至少3根的内外不同层金属线需要按照各单元所有外层金属线相互连接、各中间金属线相互连接以及各内层金属线相互连接的对应的结构关系连接在一起，引出所有阵列单元的各层金属的测试端口。

8.如权利要求1所述的监控金属工艺后短路或断路的测试结构，其特征在于：所述组成测试结构图形线条的金属换成多晶硅时，同样能监测多晶硅的短路或断路缺陷。

9.如权利要求1所述的监控金属工艺后短路或断路的测试结构，其特征在于：所述的测试结构是放置于芯片区，或者是放置于划片槽区域内。