[发明专利]一种有机小分子单晶材料的表征方法及其应用

权利要求书

1.一种有机小分子单晶材料的表征方法，其特征在于，该方法包括：

1）利用介电材料和有机半导体材料依次在载网上形成介电层和有机半导体纳米薄膜，所述有机半导体纳米薄膜的厚度为0.8-8nm；

2）在无水无氧条件下将步骤1）获得的产物进行退火，使所述有机半导体纳米薄膜转化为有机单晶纳米材料；

3）将步骤2）获得的产物置于透射电子显微镜下观察，并测量有机单晶纳米材料的尺寸、表面粗糙度和结晶性。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述介电材料为SiO₂、聚碳酸酯、聚苯乙烯、聚酰亚胺和聚甲基丙烯酸甲酯中的一种。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述有机半导体材料为并五苯。

4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述载网为铜网、镍网、钼网、金网和尼龙网中的一种。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述介电层的方法为旋涂法、磁控溅射法和自组装方法。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，形成所述有机半导体纳米薄膜的方法为真空蒸发镀膜法，所述真空蒸发镀膜的条件包括沉积速度为0.001-0.05nm/s，真空度为1×10^-5-1×10^-7mbar，沉积时形成有介电层的载网所处的温度为20-30℃，沉积时间为30-300s。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述退火的条件包括温度为60-140℃和时间为20-360min。

8.权利要求1-7中任意一项所述的方法在研究有机单晶纳米材料结构中的应用。