[发明专利]胶带自由流电泳芯片及其加工方法

权利要求书

1.胶带自由流电泳芯片，其特征在于所述自由流电泳芯片包括上基片（5）、下基片（9）、中间结构层和电极（8），其中：中间结构层为由上基片（5）和下基片（9）通过图形化的双面胶带（6）粘接在一起构成的流体腔体，流体腔体设置有出液口（4），上基片（5）开有与腔体相连通的进液孔（1），腔体内上基片（5）和下基片（9）对应壁面粘贴单面胶带（7）之间的区域为分离室（2），分离室（2）两侧为电解槽（3），电极槽（3）内安装有电极（8）。

2.根据权利要求1所述的双台阶式胶带自由流电泳芯片，其特征在于所述电极（8）的厚度或直径小于等于电极槽（3）高度。

3.根据权利要求1所述的双台阶式胶带自由流电泳芯片，其特征在于所述分离室（7）的高度在20-200nm之间。

4.一种胶带自由流电泳芯片的加工方法，其特征在于所述方法包括如下步骤：

（1）清洁处理上、下基片，将所设计的自由流电泳芯片结构图形粘贴在上、下基片上，作为对准标识；

（2）在上基片上打出进液孔，进行表面清洁处理，再对准分离室标识粘贴单面胶带，完成上基片加工；

（3）在下基片上粘贴双面胶带，对准图形标识划刻，去掉多余部分的胶带；然后，对准标识粘贴单面胶带、电极，完成下基片加工；

（4）揭去下基片上的双面胶带的表面贴膜，将上基片与下基片对准胶接，构成芯片及其出液口，完成芯片加工。

5.根据权利要求4所述的胶带自由流电泳芯片的加工方法，其特征在于所述单面胶带为KAPTON胶带或PET胶带。

6.根据权利要求4所述的胶带自由流电泳芯片的加工方法，其特征在于所述双面胶带为KAPTON胶带或PET胶带。

7.根据权利要求4或6所述的胶带自由流电泳芯片的加工方法，其特征在于所述双面胶带为单层或由多层单、双面胶带粘合构成。

8.根据权利要求4所述的胶带自由流电泳芯片的加工方法，其特征在于所述电极材料为金属胶带、金属丝或金属带。

9.根据权利要求8所述的胶带自由流电泳芯片的加工方法，其特征在于所述金属胶带为铜胶带或铝膜胶带，金属丝为Pt丝或Au丝，金属带为Pt带或Au带。

10.根据权利要求4所述的胶带自由流电泳芯片的加工方法，其特征在于所述上基片和下基片的材料为普通平板玻璃或有机玻璃。