[发明专利]用于提高晶体生长速率的碳化硅晶体生长方法

权利要求书

1.一种用于提高晶体生长速率的碳化硅晶体生长方法，其特征在于，依次进行如下步骤：

步骤1、将碳化硅粉源和石墨柱装入坩埚中，再将坩埚工装后置入生长设备中；

步骤2、进行碳化硅粉源烧结并除杂；

步骤3、从坩埚中取出石墨柱；

步骤4、进行晶体生长操作。

2.按照权利要求1所述的用于提高晶体生长速率的碳化硅晶体生长方法，其特征在于，所述步骤1中，先在坩埚内装入碳化硅粉源，再插入石墨柱。

3.按照权利要求1所述的用于提高晶体生长速率的碳化硅晶体生长方法，其特征在于，所述步骤1中，所述石墨柱底部表面设置有外螺纹，坩埚的底部设置有螺纹孔，所述石墨柱通过螺纹连接在坩埚上；先将石墨柱以螺纹方式固定在坩埚底，再将碳化硅粉源装入坩埚中。

4.按照权利要求1、2或3所述的用于提高晶体生长速率的碳化硅晶体生长方法，其特征在于，所述石墨柱的直径为5～15mm，所使用石墨柱的底面积之和占其所在坩埚内腔底面积的20%～40%。

5.按照权利要求1、2或3所述的用于提高晶体生长速率的碳化硅晶体生长方法，其特征在于，所述石墨柱均伸入到坩埚底部，且石墨柱顶部高于碳化硅粉源表面10～20mm。

6.按照权利要求1、2或3所述的用于提高晶体生长速率的碳化硅晶体生长方法，其特征在于，所使用坩埚的内腔在水平方向上均匀分成多个用于盛放碳化硅粉源的分装区域，步骤2中将碳化硅粉源分别装入坩埚的各个分装区域中，并在各分装区域中均插入石墨柱。

7.按照权利要求1、2或3所述的用于提高晶体生长速率的碳化硅晶体生长方法，其特征在于，所述各分装区域的横截面均为圆形且呈蜂窝状排列。

8.按照权利要求1、2或3所述的用于提高晶体生长速率的碳化硅晶体生长方法，其特征在于，所述各分装区域的横截面均为扇形且沿坩埚的中心周向分布。

9.按照权利要求1、2或3所述的用于提高晶体生长速率的碳化硅晶体生长方法，其特征在于，所述坩埚为一体式结构。