[发明专利]阻挡漏电流通过存储阵列中瑕疵存储单元的方法

权利要求书

1.一种阻挡漏电流通过一存储阵列中瑕疵存储单元的方法，该存储单元包括存取装置及可编程电阻存储元件，包含：

辨识在该存储阵列中瑕疵存储单元的地址；以及

施加一修改偏压条件以修改在该辨识地址上的该瑕疵存储单元，形成修改瑕疵存储单元，该存储阵列操作期间施加偏压条件下，该修改瑕疵存储单元具有一电流阻挡条件。

2.根据权利要求1所述的方法，更包含：

将所辨识的该瑕疵存储单元的地址储存于一个地址的备援表中。

3.根据权利要求1所述的方法，其中该存储单元包括存储元件，该存储元件包括于该阵列操作时在所施加偏压条件下具有一有源区域的相变化存储材料，且该修改偏压条件导致电流脉冲会诱发该相变化存储材料的一部分转变至一非晶相态以阻挡电流通过该修改瑕疵存储单元。

4.根据权利要求1所述的方法，其中该存储单元包括存储元件，该存储元件包括于该阵列操作时在所施加偏压条件下具有一有源区域的相变化存储材料，且该修改偏压条件导致电流脉冲会诱发自底电极延伸至顶电极的该相变化存储材料的一部分转变至一非晶相态。

5.根据权利要求1所述的方法，其中该修改偏压条件导致电流脉冲会造成该修改瑕疵存储单元中的该存取装置变成电性非导体。

6.根据权利要求1所述的方法，其中该存储元件包含一相变化材料。

7.根据权利要求1所述的方法，其中该存取装置包含一二极管。

8.一种集成电路，包含：

一存储阵列，该存储阵列包含存储单元而该存储单元包括存取装置及可编程电阻存储元件与该存取装置耦接，且包含多个在一电流阻挡条件下的修改瑕疵存储单元；

一备援阵列包括取代存储单元；以及

一备援表，该备援表标示该修改瑕疵存储单元在该存储阵列中的辨识地址与该备援阵列中的该取代存储单元之间的对应关系。

9.根据权利要求8所述的集成电路，其中该修改瑕疵存储单元包括一修改二极管在正向和反向偏压时会在一电流阻挡条件下。

10.根据权利要求8所述的集成电路，其中该修改瑕疵存储单元包括修改存储元件于一电流阻挡条件下。

11.根据权利要求8所述的集成电路，其中该存储元件包括相变化材料，及该修改瑕疵存储单元包括具有一高电阻有源区域的修改存储元件。

12.根据权利要求8所述的集成电路，更包括：

一内建自我测试电路适合辨识在一集成电路的一存储阵列中瑕疵存储单元的地址，且施加一修改偏压条件以修改在该辨识地址上的该瑕疵存储单元，形成具有一电流阻挡条件的修改瑕疵存储单元。

13.根据权利要求12所述的集成电路，其中该内建自我测试电路更包含适合将所辨识的该瑕疵存储单元的地址储存于该备援表中。

14.根据权利要求12所述的集成电路，其中该存储单元包括存储元件，该存储元件包括于该阵列操作时在所施加偏压条件下具有一有源区域的相变化存储材料，且该修改偏压条件导致电流脉冲会诱发该相变化存储材料的一部分转变至一非晶相态以阻挡电流通过该修改瑕疵存储单元。

15.根据权利要求12所述的集成电路，其中该存储单元包括存储元件，该存储元件包括于该阵列操作时在所施加偏压条件下具有一有源区域的相变化存储材料，且该修改偏压条件导致电流脉冲会诱发自底电极延伸至顶电极的该相变化存储材料的一部分转变至一非晶相态。

16.根据权利要求12所述的集成电路，其中该修改偏压条件导致电流脉冲会造成该修改瑕疵存储单元中的该存取装置变成电性非导体。