[发明专利]含氧化锌基透明导电薄膜的半导体发光装置及其制造方法无效
| 申请号： | 201210412020.0 | 申请日： | 2012-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN103078035A | 公开（公告）日： | 2013-05-01 |
| 发明（设计）人： | 李宗炫;李正贤;金起成;尹皙胡;金荣善 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/42 | 分类号： | H01L33/42;C23C16/40;C23C16/44 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 韩明星 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化锌 透明 导电 薄膜 半导体 发光 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体发光装置，所述半导体发光装置具有第III族元素被掺杂为沿厚度方向具有多个周期的波形的氧化锌基透明导电薄膜。
2.一种制造半导体发光装置的方法，所述方法包括：
形成在基底上顺序地堆叠有第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层的发光结构；
对基底执行热处理；
将锌前驱体和氧化剂注入到反应室中，以生长氧化锌基薄膜；
在氧化锌基薄膜生长的同时，将第III族元素前驱体周期性地注入到反应室中以将第III族元素掺杂在氧化锌基薄膜中；以及
对所得的材料执行热处理。
3.如权利要求2所述的方法，其中，在200℃至600℃的范围内的温度下执行在生长氧化锌基薄膜之前的热处理达10分钟至60分钟。
4.如权利要求2所述的方法，其中，锌前驱体包括二乙基锌或二甲基锌中的任何一种。
5.如权利要求2所述的方法，其中，用作第III族元素的前驱体包括三乙基镓和三甲基镓中的至少一种。
6.如权利要求2所述的方法，其中，在2托至30托的范围内的大气压力下，在400℃至530℃的范围内的温度下执行生长氧化锌基薄膜的步骤。
7.如权利要求2所述的方法，其中，在200℃至600℃的范围内的温度下对所得的材料执行热处理达40分钟至120分钟。
8.如权利要求2所述的方法，其中，在间歇式金属-有机化学气相沉积装置中形成氧化锌基透明导电薄膜。
9.一种制造半导体发光装置的方法，所述方法包括：
形成在基底上顺序地堆叠有第一导电类型半导体层、活性层和第二导电类型半导体层的发光结构；以及
将锌前驱体、氧化剂和第III族元素的前驱体注入到反应室中以从发光结构的至少一个表面生长氧化锌基薄膜，然后不包括第III族元素的前驱体将锌前驱体和氧化剂注入到反应室中以生长氧化锌基透明导电薄膜达2分钟至20分钟，重复地执行上述工艺。
10.如权利要求9所述的方法，其中，锌前驱体包括二乙基锌或二甲基锌。
11.如权利要求9所述的方法，其中，用作第III族元素的前驱体包括三乙基镓和三甲基镓中的至少一种。
12.如权利要求9所述的方法，其中，在2托至30托的范围内的大气压力下，在400℃至530℃的范围内的温度下执行生长氧化锌基薄膜的步骤。
13.如权利要求9所述的方法，其中，在间歇式金属-有机化学气相沉积装置中形成氧化锌基透明导电薄膜。
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