[发明专利]用于CIS倒装芯片接合的互连结构及其形成方法在审
申请号: | 201210413411.4 | 申请日: | 2012-10-25 |
公开(公告)号: | CN103545323A | 公开(公告)日: | 2014-01-29 |
发明(设计)人: | 余振华;陈永庆;李建勋;李明机 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;孙征 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 cis 倒装 芯片 接合 互连 结构 及其 形成 方法 | ||
1.一种器件,包括:
金属焊盘,位于图像传感器芯片的表面,所述图像传感器芯片包括图像传感器;
柱状凸块,位于所述金属焊盘上方并且电连接至所述金属焊盘,所述柱状凸块包括凸块区域和连接至所述凸块区域的尾部区域,其中所述尾部区域包括基本垂直于所述金属焊盘的顶面的金属线部分,所述尾部区域足够短以支持其自身来对抗地心引力。
2.根据权利要求1所述的器件,还包括位于所述金属焊盘上方和所述柱状凸块下方的焊料层。
3.根据权利要求1所述的器件,还包括接合至所述图像传感器芯片的衬底,所述衬底包括接触所述柱状凸块的所述尾部区域的电连接件。
4.根据权利要求1所述的器件,其中,所述金属线部分基本是直的,并且长度方向垂直于所述金属焊盘的顶面。
5.一种器件,包括:
图像传感器芯片,包括:
半导体衬底;
图像传感器,位于所述半导体衬底的前侧;和
金属焊盘,位于所述半导体衬底的背侧;
焊料层,位于所述金属焊盘上方;以及
柱状凸块,位于所述焊料层上方并且通过所述焊料层电耦合至所述金属焊盘,所述柱状凸块包括凸块区域和附接至所述凸块区域的尾部区域,所述尾部区域包括具有基本均匀的尺寸的金属线部分。
6.根据权利要求5所述的器件,其中,所述凸块区域与所述焊料层接触,并且所述尾部区域的第一端接触所述凸块区域,所述尾部区域的第二端不接触附加传导部件。
7.根据权利要求5所述的器件,还包括通过倒装芯片接合与所述图像传感器芯片接合的衬底,其中,所述衬底包括与所述柱状凸块的尾部区域接触的电连接件。
8.一种方法包括:
在图像传感器芯片的金属焊盘上形成焊料层,所述图像传感器芯片包括图像传感器;
将金属线接合在所述焊料层上;以及
切割所述金属线以在所述焊料层上形成柱状凸块,其中,所述柱状凸块包括凸块区域和连接至所述凸块区域的尾部区域,所述尾部区域足够短以支撑其自身对抗地心引力。
9.根据权利要求8所述的方法,其中,在切割步骤之后,所述尾部区域的长度方向垂直于所述金属焊盘的顶面。
10.根据权利要求8所述的方法,还包括:在形成所述柱状凸块的步骤之后,通过倒装芯片接合将所述图像传感器芯片接合至衬底,所述柱状凸块的尾部区域与所述衬底的电连接件接触。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的