[发明专利]改善多晶硅耗尽的方法以及MOS晶体管在审
| 申请号： | 201210413667.5 | 申请日： | 2012-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN102956504A | 公开（公告）日： | 2013-03-06 |
| 发明（设计）人： | 张雄 | 申请（专利权）人： | 上海宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/8234;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 郑玮 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 改善 多晶 耗尽 方法 以及 mos 晶体管 | ||
1.一种改善多晶硅耗尽的方法，其特征在于包括：
第一步骤：在衬底上形成多个MOS晶体管，所述MOS晶体管包括形成在衬底中的源漏区域以及形成在衬底表面的多晶硅栅极结构；
第二步骤:在上述多个MOS晶体管的多晶硅栅极结构之间的空隙中布置光致抗蚀剂，依多晶硅栅极结构的相貌特征并结合各向异性蚀刻的方法露出多晶硅栅极结构的顶部，覆盖源漏区域，使其不受后续栅极注入的影响；
第三步骤：在上述结构形成后进行紫外线照射，硬化光致抗蚀剂表面，使其在后面的离子注入光刻过程中得以留存；
第四步骤：对第三步骤之后的结构进行选择性离子注入，从而对多晶硅栅极进行掺杂。
2.根据权利要求1所述的改善多晶硅耗尽的方法，其特征在于，在第二步骤中，首先沉积光致抗蚀剂，使得光致抗蚀剂填充所述多个MOS晶体管的多晶硅栅极结构之间的空隙，此后去除多晶硅栅极结构的顶部上的光致抗蚀剂。
3.根据权利要求1或2所述的改善多晶硅耗尽的方法，其特征在于，在所述第三步骤中，进行N型离子注入。
4.根据权利要求1或2所述的改善多晶硅耗尽的方法，其特征在于，在所述第三步骤中，进行P型离子注入。
5.根据权利要求1或2所述的改善多晶硅耗尽的方法，其特征在于，在所述第一步骤中，在多晶硅多晶硅栅极结构上形成了可选氧化层。
6.根据权利要求1或2所述的改善多晶硅耗尽的方法，其特征在于，所述MOS晶体管是P型MOS晶体管、N型MOS晶体管、CMOS晶体管之一。
7.一种通过采用根据权利要求1至6之一所述的改善多晶硅耗尽的方法而制成的MOS晶体管。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
