[发明专利]一种OPC验证方法以及掩膜版的制备方法在审
| 申请号： | 201210413898.6 | 申请日： | 2012-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN103777459A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 张婉娟 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/36 | 分类号： | G03F1/36 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 opc 验证 方法 以及 掩膜版 制备 | ||
1.一种OPC验证方法，其特征在于，包括：
提供OPC后的图案；
根据所述OPC后的图案计算AEI轮廓，并标出超出目标值误差的区域；
由模拟器对所述AEI轮廓进行器件模拟；
检测模拟后的器件的电性能；
输出检测结果。
2.如权利要求1所述的OPC验证方法，其特征在于，根据所述OPC后的图案计算AEI轮廓的步骤中结合工艺模型。
3.如权利要求2所述的OPC验证方法，其特征在于，所述工艺模型包括结合光刻和基于刻蚀规则的模型或刻蚀模型。
4.如权利要求1所述的OPC验证方法，其特征在于，所述超出目标值误差的区域包括如下因素：通孔和栅极线之间的距离、通孔的大小或通孔的形状。
5.如权利要求4所述的OPC验证方法，其特征在于，所述器件模拟针对超出目标值误差的区域模拟出所述通孔和栅极线之间的距离、通孔的大小或通孔的形状。
6.如权利要求4所述的OPC验证方法，其特征在于，检测与所述通孔和栅极线之间的距离、通孔的大小或通孔的形状相关的电性能。
7.如权利要求1所述的OPC验证方法，其特征在于，在检测模拟后的器件的电性能之前，设定电性能阈值。
8.如权利要求7所述的OPC验证方法，其特征在于，所述电性能包括电阻、电容、饱和电流、漏电流、时序或功率中的一种或多种。
9.一种掩膜版的制备方法，其特征在于，包括：
提供基板；
利用如权利要求1~8中任一项所述的OPC验证方法对OPC后的图案进行检测，若检测结果合格则将所述OPC后的图案制备在所述基板上以形成掩膜版。
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