[发明专利]半导体器件主动区失效分析样品的制备方法有效
| 申请号： | 201210414644.6 | 申请日： | 2012-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN103776668A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 孔云龙;郭炜 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | G01N1/28 | 分类号： | G01N1/28;G01R31/26;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人： | 牛峥;王丽琴 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 主动 失效 分析 样品 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体器件主动区失效分析样品的制备方法，包括：
提供半导体器件，所述半导体器件包括主动区，形成于主动区中的深沟槽，覆盖所述主动区和所述深沟槽表面的氧化层，以及填充于所述深沟槽内的多晶硅层；其中，所述多晶硅层的表面低于所述主动区的表面；
使用氢氟酸与乙酸的混合溶液对所述半导体器件进行腐蚀；
将腐蚀后的半导体器件清洗并干燥；
将干燥的半导体器件浸入丙酮溶液，进行超声波振荡，并在取出半导体器件后再次干燥；
使用丙酮将再次干燥的半导体器件表面湿润；
使用多晶硅胶贴合于半导体器件表面，并在预定时间后揭去多晶硅胶以得到半导体器件主动区失效分析样品。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述氢氟酸与乙酸的混合溶液是浓度为49%的氢氟酸溶液、浓度为90%的乙酸溶液以体积比1：50混合的混合溶液。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，使用氢氟酸与乙酸的混合溶液对所述半导体器件进行腐蚀的时间为2min。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，使用去离子水清洗腐蚀后的半导体器件，并使用氮气进行干燥。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述进行超声波振荡的时间为2min，且使用氮气进行再次干燥。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预定时间为3min。
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