[发明专利]具有减小的字线电阻的竖直栅极器件有效

专利信息
申请号: 201210414756.1 申请日: 2012-10-25
公开(公告)号: CN103545313B 公开(公告)日: 2017-09-01
发明(设计)人: 朴辰哲 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: H01L27/108 分类号: H01L27/108;H01L21/8242
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 代理人: 顾红霞,何胜勇
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 具有 减小 电阻 竖直 栅极 器件
【权利要求书】:

1.一种半导体器件,包括:

基板,其具有主侧;

第一柱,其相对于所述基板的主侧竖直延伸,所述第一柱限定有第一导电区域、第二导电区域和设置在所述第一导电区域与所述第二导电区域之间的沟道区;

第一栅极,其设置在所述第一柱的沟道区上方;

埋入式字线,其在所述第一柱下方沿第一方向延伸,所述埋入式字线构造成将第一控制信号提供至所述第一栅极;以及

第一介入部,其将所述埋入式字线和所述第一栅极连接在一起以使所述第一控制信号能够经由所述埋入式字线施加到所述第一栅极。

2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述第一介入部和所述第一栅极具有不同的导电材料。

3.根据权利要求1所述的半导体器件,其中,所述第一介入部包括与所述埋入式字线接触的第一部分和与所述第一栅极接触的第二部分,所述第一部分和所述第二部分彼此连接以提供所述埋入式字线和所述第一栅极之间的用于所述第一控制信号的信号路径。

4.根据权利要求3所述的半导体器件,其中,使用不同的工序步骤来形成所述第一介入部的第一部分和第二部分。

5.根据权利要求4所述的半导体器件,其中,所述第一介入部的第一部分和所述第一介入部的第二部分具有不同的导电材料。

6.根据权利要求4所述的半导体器件,其中,所述第一介入部的第一部分和所述第一介入部的第二部分具有相同的导电材料。

7.根据权利要求1所述的半导体器件,还包括:

第二柱,其相对于所述基板的主侧竖直延伸,所述第二柱限定有第一导电区域、第二导电区域和设置在所述第二柱的第一导电区域与第二导电区域之间的沟道区;

第二栅极,其设置在所述第二柱的沟道区上方;以及

第二介入部,其将所述埋入式字线和所述第二栅极连接起来以使第二控制信号能够经由所述埋入式字线施加至所述第二栅极。

8.根据权利要求7所述的半导体器件,其中,所述第一介入部的第二部分与如下两者接触:所述第一柱的第一栅极和所述第二柱的第二栅极。

9.根据权利要求7所述的半导体器件,其中,所述第一栅极在所述第一柱的沟道区处围绕所述第一柱。

10.根据权利要求7所述的半导体器件,其中,所述第一栅极设置在所述第一柱的至少第一侧和第二侧上。

11.根据权利要求7所述的半导体器件,其中,所述第一栅极和所述第二栅极均包括第一导电材料,并且所述第一介入部包括与所述第一导电材料不同的第二导电材料。

12.根据权利要求11所述的半导体器件,其中,所述第一导电材料是氮化钛,并且所述第二导电材料是钨。

13.根据权利要求7所述的半导体器件,还包括:

第一埋入式位线,其在所述第一柱下方沿第二方向延伸,所述第一埋入式位线与所述第一柱的第二导电区域连接,所述第二方向不同于所述第一方向,从而使得所述埋入式字线和所述第一埋入式位线沿不同的方向延伸并且限定重叠区域。

14.根据权利要求7所述的半导体器件,其中,所述埋入式字线具有竖向尺寸和横向尺寸,所述竖向尺寸大于所述横向尺寸。

15.根据权利要求14所述的半导体器件,其中,所述埋入式字线的竖向尺寸对横向尺寸的比率为1.5或更大。

16.根据权利要求14所述的半导体器件,其中,所述第一介入部设置在限定于所述第一柱和所述第二柱之间的空间内;以及

所述第一栅极和所述第二栅极均是氮化钛,并且所述第一介入部和所述第二介入部均是钨。

17.根据权利要求13所述的半导体器件,还包括:

第二埋入式位线,其在所述第二柱下方沿所述第二方向延伸,所述第二埋入式位线连接至所述第二柱的第二导电区域,所述第二方向不同于所述第一方向,从而使得所述埋入式字线和所述第二埋入式位线沿不同的方向延伸并且限定第二重叠区域,

其中,所述第一埋入式位线和所述第二埋入式位线之间限定有空间,并且所述第一介入部穿过由所述第一埋入式位线和所述第二埋入式位线限定的空间与设置在所述第一埋入式位线和所述第二埋入式位线下方的埋入式字线连接。

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