[发明专利]金属硅化钨栅极工艺中多晶硅电阻的制造方法

权利要求书

1.一种金属硅化钨栅极工艺中多晶硅电阻的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

步骤一、在半导体衬底上生长一层多晶硅层；

步骤二、在所述半导体衬底的正面进行全面的第一次离子注入，该第一次离子注入将离子注入到所述多晶硅层中并调节所述多晶硅层的电阻，使所述多晶硅层的电阻值为后续形成的多晶硅电阻的电阻值；

步骤三、所述第一次离子注入之后，采用光刻工艺定义出栅极多晶硅的形成区域，并采用第二次离子注入工艺对栅极多晶硅的形成区域的多晶硅层进行掺杂；

步骤四、所述第二次离子注入之后，在所述多晶硅层表面形成层氧化层；

步骤五、采用光刻工艺定义出所述多晶硅电阻的形成区域，采用刻蚀工艺将所述多晶硅电阻的形成区域外的所述氧化层去除、所述多晶硅电阻的形成区域的所述氧化层保留；

步骤六、在所述半导体衬底的正面生长金属硅化钨，所述金属硅化钨位于所述氧化层以及所述氧化层外部的所述多晶硅层的表面上；

步骤七、采用光刻工艺用光刻胶同时定义出栅极和所述多晶硅电阻的接触端的形成区域；每个所述多晶硅电阻的长度方向的两端都分别要形成一个所述接触端，在俯视面上，所述接触端的宽度小于所述多晶硅电阻的宽度、且所述接触端的一端交叠于所对应的所述多晶硅电阻的端部正上方，所述接触端的交叠端的宽度边延伸到所对应端的所述多晶硅电阻的宽度边内侧，所述接触端的两条长度边要求位于所述多晶硅电阻的两条长度边内侧；

步骤八、以所述光刻胶为掩模依次对所述金属硅化钨和所述多晶硅层进行刻蚀同时形成所述栅极、所述多晶硅电阻和所述接触端，刻蚀所述多晶硅层时所述多晶硅电阻区域的所述多晶硅层被所述氧化层阻挡而不并刻蚀；

步骤九、形成金属接触孔，各所述多晶硅电阻两端的所述接触端都分别和一个金属接触孔相接触并引出所述多晶硅电阻两端的电极。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤三中所述栅极多晶硅分为P型栅极多晶硅和N型栅极多晶硅，所述P型栅极多晶硅和所述N型栅极多晶硅的光刻工艺以及第二次离子注入工艺分开进行，所述P型栅极多晶硅的第二次离子注入的杂质为P型杂质，所述N型栅极多晶硅的第二次离子注入的杂质为N型杂质。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤五中所定义出的所述多晶硅电阻的最小宽度为步骤七中所述栅极图形的关键尺寸的2倍以上；所述多晶硅电阻的长度为所述多晶硅电阻的宽度的1倍以上。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤七中所述接触端的交叠端的宽度边和所对应端的所述多晶硅电阻的宽度边的距离为所述栅极图形的关键尺寸，所述接触端的两条长度边和所对应端的所述述多晶硅电阻的长度边的距离为所述栅极图形的关键尺寸。