[发明专利]一种晶体硅太阳电池的导电减反射膜和晶体硅太阳电池在审
| 申请号： | 201210416053.2 | 申请日： | 2012-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN103779430A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 谭伟华;廖辉 | 申请（专利权）人： | 上海比亚迪有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0216 | 分类号： | H01L31/0216;H01L31/0224 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201611 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 太阳电池 导电 减反射膜 | ||
1.一种晶体硅太阳电池的导电减反射膜，其特征在于，所述导电减反射膜为双功能层结构，其中靠近晶体硅太阳电池硅衬底的功能层为钝化层，远离晶体硅太阳电池硅衬底的功能层为导电层；所述导电层所采用的导电介质选自AZO、ITO、ATO或者SnO2中的至少一种。
2.根据权利要求1所述的导电减反射膜，其特征在于，所述导电层所采用的导电介质为AZO。
3.根据权利要求1所述的导电减反射膜，其特征在于，所述导电层为双层结构，其中靠近钝化层的一层所采用的导电介质为AZO，远离钝化层的一层所采用的导电介质为SnO2。
4.根据权利要求1所述的导电减反射膜，其特征在于，所述导电层的厚度为20~80nm。
5.根据权利要求1-3任一项所述的导电减反射膜，其特征在于，所述导电层通过磁控溅射法、脉冲激光沉积法、溶胶-凝胶法或化学气相沉积法制备形成。
6.根据权利要求1所述的导电减反射膜，其特征在于，所述钝化层所采用的钝化介质为SiO2或Si3N4。
7.根据权利要求6所述的导电减反射膜，其特征在于，所述钝化层采用的钝化介质为SiO2，钝化层的厚度为5~20nm。
8.根据权利要求7所述的导电减反射膜，其特征在于，所述钝化层通过热氧化或真空蒸镀法制备形成。
9.根据权利要求6所述的导电减反射膜，其特征在于，所述钝化层采用的钝化介质为Si3N4，钝化层的厚度为15~60nm。
10.根据权利要求6所述的导电减反射膜，其特征在于，所述钝化层通过等离子化学气相沉积法制备形成。
11.一种晶体硅太阳电池，其特征在于，所述晶体硅太阳电池包括硅衬底、位于硅衬底向光面的减反射层、位于减反射层表面且穿过减反射层与硅衬底接触的向光面电极；所述减反射层为权利要求1-10任一项所述的导电减反射膜。
12.根据权利要求11所述的晶体硅太阳电池，其特征在于，所述硅衬底背面还设有背场和背面电极，背面电极穿过背场与硅衬底背面接触。
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