[发明专利]硅铸锭用坩埚及其涂层制备方法

权利要求书

1.一种硅铸锭用坩埚，包括坩埚本体，其特征在于：所述坩埚还包括覆盖在所述坩埚本体内壁上的由纯水和氧化铝微粉制成的氧化铝涂层和覆盖在所述氧化铝涂层上的由纯水和氮化硅粉体制成的氮化硅涂层。

2.根据权利要求1所述的硅铸锭用坩埚，其特征在于：所述氧化铝涂层中氧化铝微粉的粒径为0.1um至0.3um。

3.根据权利要求1所述的硅铸锭用坩埚，其特征在于：所述氧化铝微粉与氮化硅粉体的比例为1:2至1:3。

4.根据权利要求1所述的硅铸锭用坩埚，其特征在于：所述氮化硅粉体的纯度大于99.9%。

5.根据权利要求1所述的硅铸锭用坩埚，其特征在于：所述氧化铝微粉的纯度大于99.9%。

6.一种硅铸锭用坩埚涂层的制备方法，其特征在于：所述制备方法包括以下步骤：

S1，量取一定量纯水，并将该纯水置于一超声水浴容器内的烧杯中，同时调整水浴温度为35℃至40℃；

S2，称取一定量的氧化铝微粉并加入所述烧杯中，然后开启超声水浴容器进行搅拌；

S3，待搅拌30分钟后将搅拌好的氧化铝浆料刷制在一内壁温度为40℃至45℃的坩埚本体的内壁上，待氧化铝浆料完全干燥后形成氧化铝涂层；

S4，再量取一定量纯水，并将该纯水置于超声水浴容器内的烧杯中，同时调整水浴温度为35℃至40℃；

S5，称取一定量的氮化硅粉体并加入所述烧杯中，然后开启超声水浴容器进行搅拌；

S6，待搅拌30分钟后将搅拌好的氮化硅浆料喷涂至S3步骤形成的氧化铝涂层上；

S7，将喷涂完成的坩埚置于温度为200℃的烧结炉内进行烘干烧结以形成覆盖在氧化铝涂层上的氮化硅涂层。

7.根据权利要求6所述的硅铸锭用坩埚涂层的制备方法，其特征在于：所述S1步骤中的纯水的电阻率大于12MΩ·cm。

8.根据权利要求6所述的硅铸锭用坩埚涂层的制备方法，其特征在于：所述氧化铝微粉的粒径为0.1um至0.3um。

9.根据权利要求6所述的硅铸锭用坩埚涂层的制备方法，其特征在于：所述氧化铝微粉与纯水的比例为1:4至1:5。

10.根据权利要求9所述的硅铸锭用坩埚涂层的制备方法，其特征在于：所述氮化硅与纯水的比例为1:4至1:5。

11.根据权利要求10所述的硅铸锭用坩埚涂层的制备方法，其特征在于：所述称取的氧化铝微粉与氮化硅粉体的比例为1:2至1:3。

12.根据权利要求6所述的硅铸锭用坩埚涂层的制备方法，其特征在于：所述氧化铝微粉和氮化硅粉体的纯度均大于99.9%。