[发明专利]一种失效地址处理方法及装置有效

专利信息
申请号: 201210417018.2 申请日: 2012-10-26
公开(公告)号: CN102968353A 公开(公告)日: 2013-03-13
发明(设计)人: 李延松 申请(专利权)人: 华为技术有限公司
主分类号: G06F11/07 分类号: G06F11/07
代理公司: 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 代理人: 申健
地址: 518129 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 失效 地址 处理 方法 装置
【说明书】:

技术领域

发明涉及计算机领域,尤其涉及一种失效地址处理方法及装置。

背景技术

计算机系统一般由处理器、内存、输入设备、输出设备和总线五个部分组成,其中内存用来保存处理器运行所需的指令和数据。内存一般是用半导体工艺的动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)实现的,为了便于更换常常将内存做成包含多个DRAM芯片的内存条形式。为了能够使内存条的可靠性提高,内存条上往往还增加了1或2个错误检测和纠正(Error Checking and Correction,ECC)校验芯片。

在现有技术中,当程序访问内存时,若内存中的数据出现一个比特的错误,可以通过ECC校验码检测出来并加以纠正,使计算机可以继续正常运行,并且由电可擦可编程只读存储器(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory,EEPROM)记录下失效地址。但是当错误超过一个比特时,由于超过了ECC的纠错能力,ECC校验芯片只能将错误检测出来但无法进行纠正,导致系统运行错误,在检测到错误后也要将失效地址记录在EEPROM中。记录失效地址是为了在系统重新启动过程中,不再使用失效地址对应的存储单元,保证程序正常运行。

在实现上述信息存储的过程中,发明人发现现有技术至少存在如下问题:由于系统重新启动后不加区分的屏蔽已记录的失效地址,造成内存存储资源的浪费。

发明内容

本发明的实施例提供一种失效地址处理方法及装置,可以在保证内存读写正确的同时,有效提高内存资源的利用率。

本发明的第一方面,提供一种失效地址处理方法,应用于基本输入输出系统(Basic Input Output System,BIOS)启动阶段,所述方法包括:

读取第二存储器中存储的第一存储器中出现失效的存储单元的失效地址;其中,所述失效地址是由操作系统(Operating System,OS)在运行过程中检测到出现失效的单元后存储的,所述第二存储器为非易失性存储器;

当判断所述失效地址对应的出现失效的存储单元的失效类型为硬失效且所述失效地址的分配类型为动态分配时,屏蔽所述失效地址。

结合第一方面,在一种可能的实现方式中,在所述读取第二存储器中存储的第一存储器中出现失效的存储单元的失效地址之后,所述的失效地址处理方法还包括:

判断所述失效地址对应的出现失效的存储单元的失效类型,所述失效类型包括软失效和硬失效;

判断所述失效地址的分配类型,所述分配类型包括动态分配和静态分配。

结合第一方面和上述可能的实现方式,在另一种可能的实现方式中,所述方法还包括:

当判断所述失效地址对应的出现失效的存储单元的失效类型为软失效时,则从所述第二存储器中删除所述失效地址。

结合第一方面和上述可能的实现方式,在另一种可能的实现方式中,所述方法还包括:

当判断所述失效地址对应的出现失效的存储单元的失效类型为硬失效且所述失效地址的分配类型为静态分配时,则启动保护机制。

结合第一方面和上述可能的实现方式,在另一种可能的实现方式中,所述判断所述失效地址对应的出现失效的存储单元的失效类型,包括:

对所述失效地址对应的出现失效的存储单元进行写入和读取测试;其中,所述写入和读取测试为在所述存储单元中写入数据,再从所述存储单元中读取数据;

若所述存储单元中读取的数据与写入的数据一致,则所述存储单元为软失效;

若所述存储单元中读取的数据与写入的数据不一致,则所述存储单元为硬失效。

结合第一方面和上述可能的实现方式,在另一种可能的实现方式中,所述第一存储器包括动态随机存储器DRAM,所述第二存储器包括电可擦可编程只读存储器EEPROM或者flash存储器。

结合第一方面和上述可能的实现方式,在另一种可能的实现方式中,

所述启动保护机制包括:提示警告并停止运行;或提示警告并重启系统;

所述屏蔽所述失效地址包括:将所述失效地址所在的页面地址范围设置为保留属性,以便OS对所述第一存储器进行读写操作时不再使用所述页面地址范围。

结合第一方面和上述可能的实现方式,在另一种可能的实现方式中,

动态分配的地址包括:OS进程占用的地址空间、用户进程占用的地址空间和输入/输出I/O设备的收发缓冲区;

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