[发明专利]用三重态管理器的有机半导体激光器

权利要求书

1.一种光电装置，其进一步包括：

有机半导体激光器，所述有机半导体激光器进一步包括：

光学共振腔；

布置在所述光学共振腔内的有机层，所述有机层包括：

有机主体化合物；

能够荧光发射的有机发光化合物；以及

有机掺杂剂化合物；

其中：

所述有机掺杂剂化合物的三重态能量低于或等于所述有机主体化合物的三重态能量；

所述有机掺杂剂化合物的所述三重态能量低于或等于所述有机发光化合物的三重态能量；

所述有机发光化合物的单重态能量低于或等于所述有机主体化合物的单重态能量。

2.如权利要求1所述的装置，其中所述有机发光化合物的所述单重态能量低于所述有机主体化合物的所述单重态能量。

3.如权利要求1所述的装置，其中所述有机发光化合物的所述单重态能量低于所述有机掺杂剂化合物的单重态能量。

4.如权利要求1所述的装置，其中所述有机掺杂剂化合物不会强烈地吸收所述有机发光化合物的所述荧光发射。

5.如权利要求1所述的装置，其进一步包括光学耦合至所述有机层的光泵。

6.如权利要求1所述的装置，其中所述有机半导体激光器进一步包括：

阳极；

阴极；

其中所述有机层布置在所述阳极与所述阴极之间；

布置在所述有机层与所述阳极之间的空穴传输层；以及

布置在所述有机层与所述阴极之间的电子传输层；

其中所述有机掺杂剂化合物只存在于发光层中。

7.如权利要求1所述的装置，其中所述掺杂剂化合物的三重态衰减时间比所述发光化合物的三重态衰减时间短。

8.如权利要求1所述的装置，其中：

所述掺杂剂化合物的浓度为10wt％-90wt％；

所述发光化合物的浓度为0.5wt％-5wt％。

9.如权利要求1所述的装置，其中所述有机发光化合物能够在室温下荧光发射。

10.如权利要求1所述的装置，其中所述掺杂剂化合物选自由以下各项组成的组：蒽、并四苯、红荧烯和苝以及它们的衍生物。

11.如权利要求1所述的装置，其中所述掺杂剂化合物选自蒽以及其衍生物。

12.如权利要求11所述的装置，其中所述掺杂剂化合物是ADN。

13.如权利要求1所述的装置，其中所述掺杂剂化合物是磷光体。

14.如权利要求1所述的装置，其中所述掺杂剂化合物是荧光团。

15.如权利要求1所述的装置，其中所述装置是消耗品。

16.如权利要求6所述的装置，其中所述有机半导体激光器进一步包括：

布置在所述阳极与所述空穴传输层之间的空穴注入层；以及

布置在所述阴极与所述电子传输层之间的电子注入层。

17.如权利要求6所述的装置，其中所述有机半导体激光器进一步包括反馈结构。

18.如权利要求17所述的装置，其中所述反馈结构包括以下的任何一个，或以下的某种组合：

平面波导结构；

分布式反馈结构；

布拉格反射反馈结构；或者

垂直腔面结构表面发射激光器(VCSEL)。

19.如权利要求6所述的装置，其中所述有机半导体激光器进一步包括衬底，其中：

所述阳极布置在所述衬底上；以及

至少一个反射镜布置在所述衬底与所述阳极之间。