[发明专利]一种阵列基板和制造阵列基板的方法

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括：

基板；

栅极扫描线，位于所述基板上；

栅极绝缘层，位于所述栅极扫描线和基板上；

数据线，位于所述栅极绝缘层上；

维修金属块，位于所述栅极绝缘层上，与所述数据线电连接；

钝化层，位于所述栅极绝缘层和维修金属块之上，并具有钝化层过孔或沟槽；

连接电极，所述连接电极通过所述钝化层过孔或沟槽与所述维修金属块连接，用于提供足够大的接触面积与维修用的维修金属线之间进行电连接。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述数据线和维修金属块采用相同材料。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

所述连接电极的材料包括氧化铟锡、氧化铟锌或氧化铝锌。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：

挡光条，位于所述基板之上，平行于所述数据线。

5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，

维修金属块包括有机材料小球，该有机材料小球含有导电银胶。

6.一种制造阵列基板的方法，其特征在于，包括：

在基板上沉积第一金属薄膜，并在所述第一金属薄膜上形成栅极扫描线；

淀积栅极绝缘层，所述栅极绝缘层位于所述栅极扫描线和基板之上；

淀积第二金属薄膜，在所述第二金属薄膜上形成数据线和维修金属块；

沉积钝化层，所述钝化层位于所述栅极绝缘层上，并具有钝化层过孔或沟槽；

设置经过所述钝化层过孔或沟槽与所述维修金属块连接的连接电极，所述连接电极用于提供足够大的接触面积与维修金属线之间进行电连接。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，还包括：

通过光刻工艺和化学腐蚀工艺，在所述第一金属薄膜上形成所述栅极扫描线的同时形成所述栅极扫描线的栅极，以及公共电极和挡光条；

淀积栅极绝缘层的过程还包括：淀积薄膜晶体管；以及，通过光刻工艺和化学腐蚀工艺，在所述栅极上形成有源层和所述栅极上方的沟道。