[发明专利]图像形成设备和处理盒

权利要求书

1.一种图像形成设备，所述图像形成设备至少包括：

电子照相感光体，所述电子照相感光体至少具有

导电性支持体，

设置在所述导电性支持体上的底涂层，所述底涂层含有金属氧化物颗粒和具有蒽醌结构的电子接受性化合物，所述电子接受性化合物的量相对于100重量份的所述金属氧化物颗粒为1重量份～5重量份，并且所述底涂层具有通过交流阻抗法测定为3.5×10⁸Ωm～1.0×10⁹Ωm的体积电阻率，和

设置在所述底涂层上的感光层；

充电装置，所述充电装置以仅施加直流电压的接触充电的方式对所述电子照相感光体的表面充电；

静电潜像形成装置，所述静电潜像形成装置将所充电的电子照相感光体的表面曝光以形成静电潜像；

显影装置，所述显影装置通过显影剂使所述静电潜像显影以形成色调剂图像；和

转印装置，所述转印装置将所述色调剂图像从所述电子照相感光体直接转印到转印介质上；并且

所述图像形成设备不包括擦除装置，所述擦除装置用于在通过所述转印装置将所述色调剂图像转印到所述转印介质上之后和在通过所述充电装置对所述电子照相感光体的表面充电之前对所述电子照相感光体的表面进行擦除。

2.如权利要求1所述的图像形成设备，其中，所述电子接受性化合物的含量相对于100重量份的所述金属氧化物颗粒为2重量份～4重量份。

3.如权利要求1所述的图像形成设备，其中，所述电子接受性化合物为由下式(1)表示的电子接受性化合物：

其中，R¹和R²各自独立地表示羟基、甲基、甲氧基甲基、苯基或氨基，并且m和n各自独立地表示0～4的整数。

4.如权利要求3所述的图像形成设备，其中，在由式(1)表示的电子接受性化合物中，R¹为羟基，m为1～3，并且n为0。

5.如权利要求1所述的图像形成设备，其中，所述电子接受性化合物为具有羟基蒽醌结构的电子接受性化合物。

6.如权利要求1所述的图像形成设备，其中，所述金属氧化物颗粒经过硅烷偶联剂进行的表面处理。

7.如权利要求1所述的图像形成设备，其中，所述金属氧化物颗粒经过具有氨基的硅烷偶联剂进行的表面处理。

8.如权利要求1所述的图像形成设备，其中，100重量份所述金属氧化物颗粒的表面上所附着的表面处理剂的量为0.5重量份～3重量份。

9.如权利要求1所述的图像形成设备，其中，通过交流阻抗法测得的所述底涂层的体积电阻率为4.0×10⁸Ωm～9.5×10⁸Ωm。

10.如权利要求1所述的图像形成设备，其中，通过交流阻抗法测得的所述底涂层的体积电阻率为4.5×10⁸Ωm～9.0×10⁸Ωm。

11.一种处理盒，所述处理盒至少包括：

电子照相感光体，所述电子照相感光体至少具有

导电性支持体，

设置在所述导电性支持体上的底涂层，所述底涂层含有金属氧化物颗粒和具有蒽醌结构的电子接受性化合物，所述电子接受性化合物的量相对于100重量份的所述金属氧化物颗粒为1重量份～5重量份，并且所述底涂层具有通过交流阻抗法测定为3.5×10⁸Ωm～1.0×10⁹Ωm的体积电阻率，和

设置在所述底涂层上的感光层；和

充电装置，所述充电装置以仅施加直流电压的接触充电的方式对所述电子照相感光体的表面充电；并且

所述处理盒不包括擦除装置，所述擦除装置用于在通过转印装置将形成于所述电子照相感光体的表面上的色调剂图像转印到转印介质上之后和在通过所述充电装置对所述电子照相感光体的表面充电之前对所述电子照相感光体的表面进行擦除；并且

所述处理盒可与所述图像形成设备分离。

12.如权利要求11所述的处理盒，其中，所述电子接受性化合物的含量相对于100重量份的所述金属氧化物颗粒为2重量份～4重量份。