[发明专利]一种三氯氢硅的等离子体制备装置在审
| 申请号： | 201210418382.0 | 申请日： | 2012-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN103787337A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 王红卫 | 申请（专利权）人： | 王红卫 |
| 主分类号： | C01B33/107 | 分类号： | C01B33/107 |
| 代理公司： | 苏州华博知识产权代理有限公司 32232 | 代理人： | 孙艳 |
| 地址： | 226000 江苏省南*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 三氯氢硅 等离子体 制备 装置 | ||
【权利要求书】：
1.一种三氯氢硅的等离子体制备装置，其特征在于，包括等离子体氢化装置，所述等离子体氢化装置包括水冷内电极、介质阻挡层、放电电源以及风冷外电极，所述外电极采用提高放电稳定性及均匀性的网状电极，所述放电电源采用高压电源。
2.根据权利要求1所述的三氯氢硅的等离子体制备装置，其特征在于，所述的等离子体氢化装置采用高频电源。
3.根据权利要求2所述的三氯氢硅的等离子体制备装置，其特征在于，所述高频电源的频率为40~200Khz。
4.根据权利要求1所述的三氯氢硅的等离子体制备装置，其特征在于，所述等离子体氢化装置还设有外绝缘护套。
5.根据权利要求1所述的三氯氢硅的等离子体制备装置，其特征在于，所述等离子体氢化装置的内电极为空心金属管，所述外电极采用金属网。
6.根据权利要求1所述的三氯氢硅的等离子体制备装置，其特征在于，所述等离子体氢化装置的内电极设有供冷却水流通的管路。
7.根据权利要求4所述的三氯氢硅的等离子体制备装置，其特征在于，所述等离子体氢化装置的外电极与外绝缘护套之间的环状间隙连通冷却气体发生装置。
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