[发明专利]一种掩膜板及其制造方法，阵列基板的制造方法

权利要求书

1.一种掩膜板，包括基板，设置于基板上的第一图案区及第二图案区，第一图案区对应于阵列基板的像素区，第二图案区对应于阵列基板的扇出导线区，其特征在于，

所述第二图案区包括部分透射区域和全透射区域，当刻蚀所述扇出导线区的源漏极层时，所述部分透射区域使得涂覆在所述源漏极层上的光刻胶显影后形成光刻胶部分保留区域，所述全透射区域使得涂覆在所述源漏极层上的所述光刻胶显影后形成光刻胶完全去除区域，其中，所述光刻胶部分保留区域对应于扇出导线，所述光刻胶完全去除区域对应于扇出导线之间的间隔。

2.根据权利要求1所述的掩膜板，其特征在于，所述部分透射区域设置有掩膜材料层。

3.根据权利要求2所述的掩膜板，其特征在于，所述掩膜材料层为铬、钼、钛金属氧化物或氮化物层。

4.根据权利要求1-3任一项所述的掩膜板，其特征在于，所述基板为玻璃基板、石英基板或蓝宝石基板。

5.一种阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：

在衬底上形成源漏极层；

在所述源漏极层上涂覆光刻胶；

使用权利要求1-4任意一项所述的掩膜板对所述光刻胶进行曝光，显影后与第二图案区的部分透射区域对应的区域形成光刻胶部分保留区域，与第二图案区的全透射区域对应的区域形成光刻胶完全去除区域；

采用刻蚀工艺，刻蚀所述光刻胶完全去除区域对应的所述源漏极层。

6.一种掩膜板的制造方法，其特征在于，包括在基板的上形成作为第二图案区的部分透射区域的掩膜材料层，其中，所述第二图案区对应于阵列基板的扇出导线区，所述第二图案区包括所述部分透射区域和全透射区域，所述部分透射区域对应于扇出导线，所述全透射区域对应于扇出导线之间的间隔。

7.根据权利要求6所述的掩膜板的制造方法，其特征在于，所述在基板的上形成作为第二图案区的部分透射区域的掩膜材料层包括：

采用沉积工艺，在所述基板的第二图案区沉积所述掩膜材料层；

采用涂覆工艺，在所述掩膜材料层上涂覆光刻胶；

采用光刻工艺，显影后去除所述第二图案区的全透射区域的所述光刻胶；

采用刻蚀工艺，刻蚀对应于所述第二图案区的全透射区域的所述掩膜材料层；

通过去胶工艺去除剩余的光刻胶。

8.根据权利要求6或7所述的掩膜板的制造方法，所述掩膜材料层为铬、钼、钛金属氧化物或氮化物层。

9.根据权利要求6或7所述的掩膜板的制造方法，所述基板为玻璃基板、石英基板或蓝宝石基板。