[发明专利]互补型阻变存储器及制备方法

权利要求书

1.一种互补型阻变存储器，由下至上依次包括底电极、氧储备层、存储介质层和顶电极。

2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于：所述互补型阻变存储器，由下至上依次由所述底电极、氧储备层、存储介质层和顶电极组成。

3.根据权利要求1或2所述的存储器，其特征在于：构成所述底电极的材料为氮化钛；

构成所述氧储备层的材料为氮氧化钛；

构成所述存储介质层的材料为二氧化钛；

构成所述顶电极的材料选自铂、金、钯、钨和铝中的至少一种。

4.根据权利要求1-3任一所述的存储器，其特征在于：所述底电极的厚度为50-500nm，优选150nm；

所述氧储备层的厚度为5-50nm，优选25nm；

所述存储介质层的厚度为2-10nm，优选4nm；

所述顶电极的厚度为10-500nm，优选100nm。

5.一种制备权利要求1-4任一所述存储器的方法，包括如下步骤：

1）在衬底上制备所述底电极；

2）在所述步骤1）所得底电极的表面原位制备所述氧储备层及存储介质层；

3）在所述步骤2）所得存储介质层的表面制备所述顶电极，得到所述存储器。

6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于：所述步骤1）中，制备底电极的方法为磁控溅射；

所述步骤2）中，制备氧储备层及存储介质层的方法均为等离子体氧化法；

所述步骤3）中，制备顶电极的方法为磁控溅射或电子束蒸镀法。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于：

所述步骤1）磁控溅射中，靶材为钛金属靶，溅射气氛为氩气与氧气的混合气体，总气压为0.2～1.0Pa，基片温度为25-600℃，氩气与氧气的气压比为3：5～5：3，溅射功率为5～400W；

所述步骤2）等离子体氧化法中，反应气氛为氧气，气压为1～100Pa，板压为100～2000V，射频功率为10～500W；

所述步骤3）磁控溅射中，靶材为金属靶，溅射气氛为氩气，总气压为0.2～1.0Pa，基片温度为室温，溅射功率为5～400W。