[发明专利]具有界面绒化层的InP基发光二极管及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管，包括：

P-InP衬底，

在P-InP上依次外延生长的p-InP缓冲层、布拉格反射层、p型包覆层、有源层、n型包覆层、电流扩展层和欧姆接触层；其特征在于，

在电流扩展层和欧姆接触层之间具有界面绒化层；其中，

界面绒化层为n-(Al_xGa_1-x)_yIn_1-yP，其中x为0.2～0.3，y为0.35～0.45；

界面绒化层的掺杂浓度为1×10²⁰～5×10²¹，界面绒化层的外延厚度优选为0.1～0.3微米。

2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，

界面绒化层的掺杂浓度为5×10²⁰～1×10²¹；界面绒化层的外延厚度为0.15～0.2微米。

3.如权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于，

布拉格反射层p-AlInP/p-(AlxGa1-x)yIn1-yP，x为0.3～0.7，y为0.4～0.6。

4.如权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于，

p型包覆层为p-(AlxGa1-x)yIn1-yP，x为0.6～1，y为0.4～0.6。

5.如权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于，

有源层为未掺杂(AlxGa1-x)yIn1-yP，x为0～0.5，y为0.4～0.6；

6.如权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于，

n型包覆层为n-(AlxGa1-x)yIn1-yP，x为0.6～1，y为0.4～0.6。

7.如权利要求1或2所述的发光二极管，其特征在于，

所述电流扩展层为n-(AlxGa1-x)yIn1-yP，其中x为0～1，y为0.45～0.55。

8.一种发光二极管的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）、在300℃-500℃的温度下，对P-InP衬底进行表面处理，去除水气。

（2）、生长p-InP缓冲层。

（3）、生长布拉格反射层p-AlInP/p-(AlxGa1-x)yIn1-yP，x为0.3～0.7，y为0.4～0.6；

（4）、生长p型包覆层p-(AlxGa1-x)yIn1-yP，其中x为0.6～1，y为0.4～0.6；

（5）、生长有源层未掺杂(AlxGa1-x)yIn1-yP，其中，x为0～0.5，y为0.4～0.6；

（6）、生长n型包覆层n-(AlxGa1-x)yIn1-yP，其中x为0.6～1，y为0.4～0.6；

（7）、形成电流扩展层，n-(AlxGa1-x)yIn1-yP，其中x为0～1，y为0.45～0.55，电流扩展层的掺杂浓度为1×10²⁰～1×10²¹，厚度为3000～5000nm；

（8）、生长界面绒化层：首先外延生长界面层n-(Al_xGa_1-x)_yIn_1-yP，x为0.2～0.3，y为0.35～0.45；然后经过蚀刻使界面层表面绒化成为界面绒化层，蚀刻液为氢氟酸和甲醇的混合液；

（9）、生长欧姆接触层9。

9.如权利要求8所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，

界面绒化层的掺杂浓度为1×10²⁰～5×10²¹；界面绒化层的外延厚度为0.1～0.3微米。

10.如权利要求8或9所述的发光二极管的制造方法，其特征在于，

界面绒化层8的掺杂浓度为5×10²⁰～1×10²¹，界面绒化层的外延厚度为0.15～0.2微米。