[发明专利]用于等离子处理腔室的气体喷淋头及其涂层形成方法

权利要求书

1.一种用于等离子处理腔室的气体喷淋头，其特征在于，所述气体喷淋头包括：

多孔板，其具有多个注气孔，其具有一在制程中面对并曝露于等离子体的表面；以及

一形成于所述多孔板表面上的增强型涂层，其具有随机晶体取向的致密结构，其孔隙度低于3%，表面粗糙度Ra大于1um。

2.根据权利要求1所述的气体喷淋头，其特征在于，在涂覆所述增强型涂层之前，所述多孔板表面的粗糙度大于4um。

3.根据权利要求1所述的气体喷淋头，其特征在于，在涂覆所述增强型涂层之前，其还包括一中间涂层形成于所述表面之上，所述中间涂层具有大于4um的粗糙度。

4.根据权利要求3所述的气体喷淋头，其特征在于，所述中间涂层包括阳极化处理层。

5.根据权利要求3所述的气体喷淋头，其特征在于，所述中间涂层包括等离子体喷涂涂层。

6.根据权利要求1所述的气体喷淋头，其特征在于，所述增强型涂层包括钇。

7.根据权利要求1所述的气体喷淋头，其特征在于，所述形成于所述多孔板表面的涂层是多层涂层。

8.一种在用于等离子处理腔室的气体喷淋头的至少一部分表面上制造涂层的方法，所述气体喷淋头具有一表面，其配置为在制程中面对并曝露于所述等离子处理腔室中的等离子体，其特征在于，所述方法包括：

用一多孔板制造所述气体喷淋头，所述多孔板具有多个注气孔；

将所述气体喷淋头插入一真空腔室，配置使得所述表面面对一设置于所述真空腔室中的源材料；

蒸发或溅射所述源材料于所述真空腔室中；

注入包含活性成份和非活性成份的气体于所述真空腔室中；

激发并维持等离子体于所述气体喷淋头表面，使得所述被离子化的活性成份和非活性成份的离子在所述气体喷淋头表面上撞击并与所述源材料化学反应，从而在所述气体喷淋头的至少部分表面上形成一涂层，其中，所述涂层包括来自源材料的原子和来自所述活性成份的原子。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在将所述气体喷淋头插入所述真空腔室之前，粗糙化所述气体喷淋头的表面至粗糙度大于4um。

10.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述源材料包括钇。

11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于，所述非活性成份包括氩，所述活性成份包括氧或氟。

12.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：施加负偏置电压于所述气体喷淋头，并同时保持所述真空腔室中的等离子体。

13.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，在将所述气体喷淋头插入所述真空腔室之前，施加一中间层或中间涂层于所述多孔板的表面，所述中间层或中间涂层的表面粗糙度大于4um。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述中间层或中间涂层包括阳极化处理层。

15.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，所述施加一中间层或中间涂层步骤包括施加等离子体喷涂涂层。

16.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述形成于所述气体喷淋头表面的涂层是多层涂层。

17.一种在用于等离子体处理腔室的气体喷淋头的至少部分表面上形成涂层的方法，所述气体喷淋头具有一表面，其配置为在制程中面对并在制程中曝露于所述等离子处理腔室中的等离子体，其特征在于，所述方法包括：

将所述气体喷淋头插入一个真空腔室，配置使得所述表面面对一设置于所述真空腔室中的源材料；

施加偏置电压于所述气体喷淋头；

执行一物理制程以蒸发所述源材料，使得其浓缩于所述气体喷淋头表面；

执行一化学制程以使得活性成份与所述浓缩了的源材料反应，从而在所述气体喷淋头表面形成一涂层；

其中，所述涂层具有随机晶体取向的致密结构，其孔隙度低于3%，表面粗糙度Ra大于1um。

18.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，在将所述气体喷淋头插入所述真空腔室之前，粗糙化所述气体喷淋头至其表面粗糙度达到4um以上。

19.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，所述源材料包括钇。

20.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，所述形成于所述气体喷淋头表面的涂层是多层涂层。