[发明专利]MTP存储单元在审
| 申请号： | 201210422438.X | 申请日： | 2012-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN103794246A | 公开（公告）日： | 2014-05-14 |
| 发明（设计）人： | 仲志华 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/02 | 分类号： | G11C16/02 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | mtp 存储 单元 | ||
【权利要求书】：
1.一种MTP存储单元，其特征是,包括：选择晶体管（N1）、编程电容（C1）和擦除电容（C2）；
选择晶体管(N1)的漏端作为MTP存储单元的位线(BL),选择晶体管(N1)源端作为整个MTP存储单元的源端（SG）；
编程电容（C1）的上极板和选择晶体管（N1）栅极相连，为同一个浮栅；
编程电容（C1）的下极板是整个MTP存储单元的字线(WL)；
擦除电容（C2）的上极板作为MTP存储单元的擦除端(EG)；
擦除电容（C2）的下极板与编程电容（C1）的上极板相连，为同一个浮栅。
2.如权利要求1所述的MTP存储单元，其特征是：所述选择晶体管（N1）是NMOS晶体管，编程电容（C1）是NWC电容，擦除电容（C2）是MIP电容。
3.如权利要求1所述的MTP存储单元，其特征是：所述擦除电容（C2）上极板的金属材质为硅化钨，其厚度为1000埃~3000埃，其上极板和下极板之间介质膜是二氧化硅，其厚度为200埃~300埃。
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