[发明专利]掉电告警控制电路有效
申请号: | 201210423937.0 | 申请日: | 2012-10-29 |
公开(公告)号: | CN102938553A | 公开(公告)日: | 2013-02-20 |
发明(设计)人: | 李响;胡保民;任波;田明;江伟 | 申请(专利权)人: | 武汉长光科技有限公司 |
主分类号: | H02H3/24 | 分类号: | H02H3/24;H02H9/02 |
代理公司: | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人: | 胡建平 |
地址: | 430073*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 掉电 告警 控制电路 | ||
技术领域
本发明涉及DYING-GASP电路,尤其涉及一种可误报风险低,且可以避免上电尖峰电流的掉电告警控制电路。
背景技术
通讯行业是关系到国民经济发展的重要行业,通讯设备对稳定可靠性的要求比较高,所以加入了DYING-GASP(掉电告警)功能:当终端通讯设备的电源无法满足系统正常工作的时候,系统会自动发一个信号给局端,告诉局端,终端可能会无法正常工作,局端就会做出相应反应和记录。在众多的终端设备开发厂家中,基本都是简单的采用复位芯片和大量的电解电容来实现这个功能。
现有的DYING-GASP的电路通常将门限值设的比较接近输入电压,这样才能确保掉电保持时间大于T min,使告警报文有充足的时间发送出去。但是在电网波动或者适配器老化的情况下,比较容易出现输入电压掉到DYING-GASP门限值以下,却又在系统能正常工作的最低电压之上,这样系统也会报出DYING-GASP,但系统并没有掉电,即误报。故这种实现方式产生DYING-GASP误报的风险比较高,而且大量的DYING-GASP电解电容会引起很大的上电尖峰电流。
发明内容
本发明要解决的技术问题在于针对现有技术中DYING-GASP误报的风险比较高,而且大量的DYING-GASP电解电容会引起很大的上电尖峰电流的缺陷,提供一种误报风险低,且可以避免上电尖峰电流的掉电告警控制电路。
本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:
提供一种掉电告警控制电路,包括隔离模块和均与其连接的缓启动模块、DYING-GASP能量存储模块和监控模块;
所述监控模块,用于上电后进行上电复位,在上电复位这段时间,控制给DYING-GASP能量存储模块充电,以及掉电后将所述DYING-GASP能量存储模块中的能量输出给系统做掉电告警操作,其DYING-GASP门限值大于所在系统正常工作电压值;
所述缓启动模块,用于上电后抑制上电尖峰电流;
所述DYING-GASP能量存储模块,用于在上电时存储掉电告警能量;
所述隔离模块,用于在掉电时隔离输入电压和所述DYING-GASP能量存储模块。
本发明所述的掉电告警控制电路中,所述缓启动模块包括并联的电容和电阻,并联的一端通过一电阻接地,并联的另一端连接电源电压,该缓启动模块还包括第一P沟道的MOSEFT,其栅极和源极与并联的电容和电阻的两端连接,且其源极连接电源电压。
本发明所述的掉电告警控制电路中,所述监控模块包括具有电压检测功能的复位芯片,以及第一N沟道的MOSEFT和第二N沟道的MOSEFT,所述第一N沟道的MOSEFT的栅极与该复位芯片连接,所述第一N沟道的MOSEFT的漏极与所述第二N沟道的MOSEFT的栅极连接,所述第一N沟道的MOSEFT的源极接地;所述第二N沟道的MOSEFT的漏极通过一电阻与所述隔离模块连接,所述第二N沟道的MOSEFT的源极接地。
本发明所述的掉电告警控制电路中,所述复位芯片的门槛值大于所在系统正常工作电压值。
本发明所述的掉电告警控制电路中,所述DYING-GASP能量存储模块包括多个并联的电容。
本发明所述的掉电告警控制电路中,所述隔离模块包括第二P沟道的MOSEF,其源极与所述DYING-GASP能量存储模块连接,其栅极通过一电阻与第二N沟道的MOSEFT的漏极连接,其漏极通过二极管与所述第一P沟道的MOSEFT的漏极连接,且该源极连接系统电源电压。
本发明产生的有益效果是:本发明通过缓启动模块在上电后抑制上电尖峰电流;通过隔离模块在掉电时隔离输入电压和所述DYING-GASP能量存储模块,并设置监控模块的DYING-GASP门限值大于系统正常工作电压值,从而可以提供充足的掉电保持时间来完成DYING-GASP过程,且可以减少DYING-GASP的误报。
附图说明
下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明,附图中:
图1是本发明实施例掉电告警控制电路的结构示意图;
图2是本发明实施例掉电告警控制电路的电路图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图及实施例,对本发明进行进一步详细说明。应当理解,此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明,并不用于限定本发明。
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