[发明专利]具有金属绝缘体金属电容器的封装件及其制造方法有效
| 申请号： | 201210424567.2 | 申请日： | 2012-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN103426858A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 陈硕懋;叶德强;叶炅翰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/31 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;孙征 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 金属 绝缘体 电容器 封装 及其 制造 方法 | ||
1.一种封装件，包括：
芯片，形成在所述封装件的第一区中；
模塑料，形成在邻近所述第一区的所述封装件的第二区中；
第一聚合物层，形成在所述芯片和所述模塑料上；
第二聚合物层，形成在所述第一聚合物层上；
多个互连结构，形成在所述第一聚合物层和所述第二聚合物层之间；
金属绝缘体金属(MIM)电容器，形成在所述第二聚合物层上并电连接至所述多个互连结构中的至少一个；以及
金属凸块，形成在所述多个互连结构中的至少一个的上方并电连接至所述多个互连结构中的至少一个。
2.根据权利要求1所述的封装件，其中，所述MIM电容器形成在所述第一区或所述第二区的至少一区中。
3.根据权利要求1所述的封装件，其中，所述多个互连结构形成在所述第一区或所述第二区的至少一区中。
4.根据权利要求1所述的封装件，其中，所述金属凸块形成在所述MIM电容器的上方并电连接至所述MIM电容器。
5.根据权利要求1所述的封装件，还包括位于所述MIM电容器上方的隔离涂层。
6.根据权利要求1所述的封装件，其中，所述MIM电容器包括下部金属层、电容器介电层以及上部金属层，并且所述电容器介电层包括氮化层。
7.一种封装件，包括：
芯片，形成在所述封装件的第一区中；
模塑料，形成在邻近所述第一区的所述封装件的第二区中；
第一聚合物层，形成在所述芯片和所述模塑料上；
第二聚合物层，形成在所述第一聚合物层上；
第三聚合物层，形成在所述第二聚合物层上；
第一互连结构，形成在所述第一聚合物层和所述第二聚合物层之间；
第二互连结构，形成在所述第二聚合物层和所述第三聚合物层之间，并电连接至所述第一互连结构；以及
金属绝缘体金属(MIM)电容器，形成在所述第二聚合物层和所述第三聚合物层中的至少一层中，并电连接至所述第一互连结构和所述第二互连结构中的至少一个。
8.根据权利要求7所述的封装件，其中，所述MIM电容器形成在所述第一区中的所述芯片的上方。
9.根据权利要求7所述的封装件，其中，所述MIM电容器形成在所述第二区的所述模塑料的上方。
10.根据权利要求7所述的封装件，其中，所述MIM电容器包括下部金属层、电容器介电层以及上部金属层，并且所述电容器介电层包括氮化层。
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