[发明专利]阵列基板及显示装置有效
申请号: | 201210424872.1 | 申请日: | 2012-10-30 |
公开(公告)号: | CN102914928A | 公开(公告)日: | 2013-02-06 |
发明(设计)人: | 张新霞;涂志中;郭霄;吕凤珍;林炳仟 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;H01L27/12 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王莹 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,包括基板、形成在所述基板上的栅线和数据线,其特征在于,还包括由同一条栅线且同一条数据线驱动的像素单元,所述像素单元包括:薄膜晶体管结构和至少两个显示区域,所述薄膜晶体管结构同时驱动所述至少两个显示区域中的像素电极,并且使得施加在所述至少两个显示区域中的像素电极的电压不同。
2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述像素单元包括两个显示区域,分别位于驱动所述像素单元的栅线的两侧。
3.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述薄膜晶体管结构为复合薄膜晶体管,所述复合薄膜晶体管包括栅极、源极、两个漏极,所述源极与所述两个漏极之间分别形成有一个源漏沟道,所述栅极位于所述栅线上,所述源极连接所述数据线,所述两个漏极分别连接所述两个显示区域中的像素电极,所述源极与所述两个漏极之间的两个源漏沟道的沟道宽度不同。
4.如权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述两个源漏沟道的沟道宽度为20~30um。
5.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述薄膜晶体管结构为两个薄膜晶体管,所述两个薄膜晶体管的栅极均位于栅线上或者连接栅线,源极均连接数据线,漏极分别连接所述两个显示区域中的像素电极,所述两个薄膜晶体管各自的源极与漏极之间形成的源漏沟道的沟道宽度不同。
6.如权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述两个薄膜晶体管各自的源漏沟道的沟道宽度为20~30um。
7.如权利要求1~6中任一项所述的阵列基板,其特征在于,每个所述显示区域包括:公共电极及所述像素电极,所述像素电极和公共电极通过绝缘层隔开;
所述像素电极位于所述公共电极上方,且所述像素电极为条状电极;或
所述公共电极位于所述像素电极上方,且所述公共电极为条状电极。
8.如权利要求7所述的阵列基板,其特征在于,每个所述显示区域的条状电极分为两组条状电极:第一组条状电极和第二组条状电极,组内的各条状电极平行,两组条状电极具有各自的倾斜取向,且两组条状电极在所述显示区域内对称分布。
9.如权利要求8所述的阵列基板,其特征在于,所述条状电极所在显示区域的液晶为正性液晶时,条状电极的倾斜取向方向与所述正性液晶的初始取向方向的夹角为5°~20°;或所述条状电极所在显示区域的液晶为负性液晶时,条状电极的倾斜取向方向与所述负性液晶的初始取向方向的夹角为70°~85°。
10.如权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述两个显示区域的面积比为1:1~1:9之间。
11.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1~10中任一项所述的阵列基板。
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