[发明专利]晶控仪的晶振片阻力损耗测量电路及其测量方法有效
申请号: | 201210425445.5 | 申请日: | 2012-10-31 |
公开(公告)号: | CN102914698A | 公开(公告)日: | 2013-02-06 |
发明(设计)人: | 张子业 | 申请(专利权)人: | 上海膜林科技有限公司 |
主分类号: | G01R27/26 | 分类号: | G01R27/26 |
代理公司: | 上海申汇专利代理有限公司 31001 | 代理人: | 林炜 |
地址: | 201612 上海市松江区漕河泾开*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶控仪 晶振片 阻力 损耗 测量 电路 及其 测量方法 | ||
1.一种晶控仪的晶振片阻力损耗测量电路,涉及待测晶振片,其特征在于:该电路包括微处理器、正弦信号发生器,及两个电压跟随回路,所述两个电压跟随回路分别为第一电压跟随回路、第二电压跟随回路;
所述微处理器设有一控制信号输出端、一测量信号输入端,微处理器的控制信号输出端接到正弦信号发生器的控制信号输入端;
所述第一电压跟随回路的输入端接到正弦信号发生器的信号输出端,第一电压跟随回路的输出端经一分压电阻接到第二电压跟随回路的输入端;
所述第二电压跟随回路的输出端依次经一整流回路、一滤波回路、一电平变换回路、一模数转换器接到微处理器的测量信号输入端;
所述待测晶振片的一个电气连接端接地,另一个电气连接端接到第二电压跟随回路的输入端。
2.根据权利要求1所述的晶控仪的晶振片阻力损耗测量电路,其特征在于:所述整流回路采用的是全波整流回路。
3.根据权利要求1或2所述的晶控仪的晶振片阻力损耗测量电路,其特征在于:所述滤波回路采用的是低通滤波回路。
4.根据权利要求1所述的晶控仪的晶振片阻力损耗测量电路的测量方法,其特征在于:
将晶控仪的待测晶振片与晶控仪的电路分离,再将待测晶振片的额定谐振频率值设定为扫描频率上限值,将扫描频率上限值减去1兆赫后所得到的值设定为扫描频率下限值;
利用微处理器向正弦信号发生器输出控制信号,使正弦信号发生器向待测晶振片输出正弦波测试信号,通过微处理器测量出待测晶振片在不同频率正弦波测试信号下的振荡幅度,并对此进行归一化处理;
归一化处理的具体步骤如下:
1)测量待测晶振片在正弦波测试信号的频率为扫描频率上限值时的振荡幅度,作为上限频率基准满幅度值,测量待测晶振片在正弦波测试信号的频率为扫描频率下限值时的振荡幅度,作为下限频率基准满幅度值;
2)计算出频率与满幅度之间线性关系的系数斜率和截距,具体计算公式为:
D1= k×f1+b
D2= k×f2+b
得出:
k = (D2-D1)/(f2-f1)
b = (f2×D1-f1×D2)/(f2-f1)
其中,D1为上限频率基准满幅度值,D2为下限频率基准满幅度值,f1为扫描频率上限值,f2为扫描频率下限值,k为系数斜率,b为截距;
3)设定测试频率值,利用微处理器控制正弦信号发生器输出频率值与测试频率值一致的正弦波测试信号;
4)利用微处理器测量出待测晶振片在测试频率值时振荡幅度,并根据实测振荡幅度值,计算出待测晶振片在测试频率值时的阻力损耗为:
Z = DS/D×100%
D= k×f+b
其中,Z为阻力损耗,DS为实测振荡幅度值,f为测试频率值。
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