[发明专利]显示装置无效
申请号: | 201210426425.X | 申请日: | 2012-10-31 |
公开(公告)号: | CN103094309A | 公开(公告)日: | 2013-05-08 |
发明(设计)人: | 高谷格 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 李帆 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及包括红色、绿色和蓝色三色的有机电致发光(有机EL)元件并且显示全色图像的显示装置。
背景技术
为了提高包括红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)有机EL元件的显示装置的发光效率,已知如下技术,其中根据元件的发射色将有机EL元件的电荷传输层形成为不同厚度。该技术中,通过对于每种色将发光位置与反射面之间的光学距离设定为具有对应色的波长的光能够增强的干涉条件来提高发光效率。
日本专利公开No.2000-323277中,使用金属掩模采用真空沉积以与像素的形状对应的图案形成至少红色和绿色有机EL元件的电荷传输层以致红色、绿色和蓝色有机EL元件的电荷传输层根据发射色具有不同的厚度。
另一方面,随着多色显示装置的清晰度的增加,近年来,已使每种色的像素尺寸减小,为了均以与像素对应的图案来涂布不同的材料,已要求高精确度金属掩模。因此,制造和维护金属掩模的成本占显示装置的制造成本的大部分。
发明内容
根据本发明的方面,显示装置具有通过如下方式提高的发光效率:对每种发射色将发光位置与反射面之间的光学距离设定为能够使对应色的光增强的干涉条件。根据本发明的另一方面,提供用减少的金属掩模数来制造显示装置的方法。
根据本发明的另一方面,提供显示装置,其包括:发红色光的红色有机EL元件、发绿色光的绿色有机EL元件、和发蓝色光的蓝色有机EL元件。该红色有机EL元件包括:包括具有反射面的金属层的第一电极,与该第一电极接触的第一电荷传输层,红色发光层,第二电荷传输层,与该第二电荷传输层接触并且包括具有反射面的金属层的第二电极,和该第一电荷传输层与该红色发光层之间或者该红色发光层与该第二电荷传输层之间的厚度调节层。该绿色有机EL元件包括:包括具有反射面的金属层的第一电极,与该第一电极接触的第一电荷传输层,与该第一电荷传输层接触并且含有主体材料、发光掺杂剂和辅助掺杂剂的绿色发光层,与该绿色发光层接触的第二电荷传输层,和与该第二电荷传输层接触并且包括具有反射面的金属层的第二电极。该蓝色有机EL元件包括:包括具有反射面的金属层的第一电极,与该第一电极接触的第一电荷传输层,与该第一电荷传输层接触的蓝色发光层,与该蓝色发光层接触的第二电荷传输层,和与该第二电荷传输层接触并且包括具有反射面的金属层的第二电极。每个有机EL元件的第一电荷传输层和第二电荷传输层为全部有机EL元件共有(common)并且各自具有恒定的厚度。各个有机EL元件均具有发光层的发光位置与第一电极的反射面之间的第一光学距离L1和发光层的发光位置与第二电极的反射面之间的第二光学距离L2,并且该第一光学距离L1和该第二光学距离L2满足下述关系:
和
其中λ表示各个有机EL元件的发射波长,表示从各个有机EL元件的第一电极反射的光的相移,和表示从各个有机EL元件的第二电极反射的光的相移。
该蓝色发光层的发光位置可位于该蓝色有机EL元件的蓝色发光层与第二电荷传输层之间的界面。该蓝色有机EL元件的第一光学距离已通过控制第一电荷传输层和该发光层的厚度来设定,该蓝色有机EL元件的第二光学距离已通过控制第二电荷传输层的厚度来设定。该绿色有机EL元件的第一和第二光学距离可已通过控制第一电荷传输层、绿色发光层和第二电荷传输层的厚度以及绿色发光层中的辅助掺杂剂含量来设定。在该红色有机EL元件的红色发光层与第一电荷传输层之间可设置该厚度调节层。该红色有机EL元件的第一光学距离已通过控制第一电荷传输层和厚度调节层的厚度来设定,该第二光学距离已通过控制第二电荷传输层和红色发光层的厚度来设定。
该红色发光层可含有主体材料、发光掺杂剂和辅助掺杂剂,该厚度调节层由与该红色发光层的辅助掺杂剂相同的材料制成。
该绿色有机EL元件可满足关系(I):
LUMOGh<LUMOGa<LUMOGe<HOMOGa<HOMOGh<HOMOGe (I)
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的