[发明专利]CaMgSi2O6体系微波介质材料及其制备方法有效
申请号: | 201210426642.9 | 申请日: | 2012-10-25 |
公开(公告)号: | CN102898126A | 公开(公告)日: | 2013-01-30 |
发明(设计)人: | 陈仁政;杨喻钦 | 申请(专利权)人: | 北京元六鸿远电子技术有限公司 |
主分类号: | C04B35/22 | 分类号: | C04B35/22;C04B35/63 |
代理公司: | 北京汇信合知识产权代理有限公司 11335 | 代理人: | 王秀丽 |
地址: | 100070 北京市丰*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | camgsi sub 体系 微波 介质 材料 及其 制备 方法 | ||
技术领域
本发明涉及电子信息材料与元器件技术领域,尤其涉及一种CaMgSi2O6体系微波介质材料及其制备方法。
背景技术
微波陶瓷电容器是目前世界上用量最大、发展最快的电子元件之一。微波陶瓷电容器主要应用于各类军用民用整机的震荡、耦合、滤波、旁路电路中,应用领域已经拓展到自动控制仪表、计算机、手机、数字家电、汽车、电力等行业。目前,微波陶瓷电容器已经成为了电容器市场的重要组成,全球市场的需求量增长速度近15%。市场需求巨大,产业化市场前景非常广阔。
对于射频、微波多层陶瓷电容器来说,还要求具备以下性能:高耐压、大电流、大功率、超高Q值、稳定温度系数,超低等效串联电阻ESR等。CaMgSi2O6具有优异的介电性能,但是其容量温度系数(TCC)超出了COG标准,单纯的添加CaTiO3会对品质因素有着很大的降低。此外还存在烧结温度高(1300℃以上)的缺点,因此在实际生产使用中,银钯电极的使用成本高昂,而且制约了产品的生产条件。所以对于CaMgSi2O6来说,研究的主要方向是在不降低其品质因数的情况下,如何降低容量温度系数至符合COG标准,并有效降低烧结温度,这也成为本领域技术人员需要科研的一个技术方向。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种CaMgSi2O6体系微波介质材料及其制备方法,有效提高品质因素,使得陶瓷能够在较低温度烧结下, 保持良好介电性能的同时,拥有稳定的温度系数。
为了解决上述技术问题,本发明提供了一种CaMgSi2O6体系微波介质材料,包括:85-98%重量的含有CaTiO3以及钡和钴掺杂的CaMgSi2O6微波介质材料和2-15%重量的LMZBS助熔剂。
进一步地,所述瓷粉包括7~17wt%的CaTiO3、0~5mol%的CoO以及CaMgSi2O6。
进一步地,所述LMZBS助熔剂包括10-40%摩尔百分比的Li2O,5-20%摩尔百分比的MgO,5-20%摩尔百分比的ZnO,10-35%摩尔百分比的B2O3和10-45%摩尔百分比的SiO2。
进一步地,所述助熔剂元素的组成形式为氧化物,碳酸化合物和/或化合物。
本发明还公布了一种CaMgSi2O6体系微波介质材料的制备方法,具体包括:
照化学计量配比主瓷粉CaCO3:(MgCO3)4·Mg(OH)2·5H2O:SiO2=5:1:10;
加入重量百分比为7-17%的CaTiO3调节温度系数,再掺杂0-5%CoCO3与主瓷粉混合,以去离子水为介质,球磨24小时后,在1100℃下温和煅烧5-8小时;
按照化学计量配比LMZBS助熔剂,具体的摩尔百分比是10-40%的Li2O,5-20%的MgO,5-20%的ZnO,10-35%的B2O3,10-45%的SiO2,将配比后氧化物混合后以去酒精为介质,球磨24小时后,放入高温炉中以800℃煅烧,然后冷却后粉碎,以去离子水或酒精为介质,球磨6-8小时后,在120℃—140℃下烘干;
球磨后已合成的主粉体,按化学计量比例加入重量比为85-98%的主粉体和2-15%的助熔剂,按照粉料与介质重量比1:2加入去酒精,混合后球磨6-8个小时;
在700℃到750℃温和煅烧5-8小时,粉碎后获得所制备的微波介质 陶瓷粉末。
进一步地,所述助熔剂元素的组成形式为氧化物,碳酸化合物和/或化合物。
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