[发明专利]高电子迁移率晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种高电子迁移率晶体管，包括：

缓冲层；

沟道层，形成在所述缓冲层上并包括二维电子气沟道；

沟道提供层，形成在所述沟道层上；

源电极、漏电极和栅电极，形成在所述沟道提供层上；

源极接触垫，连接到所述源电极；

漏极接触垫，连接到所述漏电极；以及

栅极接触垫，连接到所述栅电极，

其中所述源极接触垫、所述漏极接触垫和所述栅极接触垫中的一个或两个设置在所述缓冲层的外表面上，其余接触垫设置在不同方向上。

2.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中所述源极接触垫和所述栅极接触垫设置在所述缓冲层的外表面上，所述漏极接触垫设置在所述不同方向上。

3.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中设置在所述缓冲层的外表面上的所述一个或两个接触垫通过穿过所述缓冲层、所述沟道层和所述沟道提供层而连接到相应的电极。

4.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中所述漏极接触垫和所述栅极接触垫设置在所述缓冲层的所述外表面上，所述源极接触垫设置在所述不同方向上。

5.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中所述源极接触垫、所述漏极接触垫、所述栅极接触垫通过设置在二维电子气沟道外的垫而分别连接到所述源电极、所述漏电极和所述栅电极。

6.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中在所述不同方向上设置的接触垫通过所述接合金属层和接合到所述接合金属层的导电承载晶片而连接到相应的电极。

7.如权利要求6所述的高电子迁移率晶体管，其中所述导电承载晶片包括硅、金属、铝氮化物或直接敷铜。

8.如权利要求6所述的高电子迁移率晶体管，其中所述接合金属层包括包含Cu、Au和Sn之一的合金。

9.如权利要求1所述的高电子迁移率晶体管，其中所述源极接触垫、所述漏极接触垫和所述栅极接触垫是金属垫或高掺杂硅垫。

10.一种制造高电子迁移率晶体管的方法，该方法包括：

在硅基板上顺序地形成缓冲层、包括二维电子气沟道的沟道层以及沟道提供层；

在所述沟道提供层上形成源电极、漏电极和栅电极；

形成连接到所述源电极的源极接触垫；

形成连接到所述漏电极的漏极接触垫；以及

形成连接到所述栅电极的栅极接触垫，

其中所述源极接触垫、所述漏极接触垫和所述栅极接触垫中的一个或两个形成在所述缓冲层的外表面上，其余接触垫形成在不同方向上。

11.如权利要求10所述的方法，其中所述源极接触垫和所述栅极接触垫形成在所述缓冲层的外表面上，所述漏极接触垫形成在所述不同方向上。

12.如权利要求10所述的方法，其中所述漏极接触垫和所述栅极接触垫形成在所述缓冲层的外表面上，所述源极接触垫形成在所述不同方向上。

13.如权利要求10所述的方法，其中在所述缓冲层的外表面上形成接触垫包括：

形成通孔，该通孔穿过所述缓冲层、所述沟道层和所述沟道提供层并且暴露与所述接触垫相应的电极；以及

用所述接触垫的材料填充所述通孔。

14.如权利要求10所述的方法，其中所述源极接触垫、所述漏极接触垫和所述栅极接触垫通过在所述二维电子气沟道外形成的垫分别连接到所述源电极、所述漏电极和所述栅电极。

15.如权利要求10所述的方法，其中在不同方向上形成接触垫包括：

形成接合金属层，该接合金属层连接到与所述接触垫相关的电极，该接触垫形成在所述不同方向上；

将导电承载晶片贴附到所述接合金属层；以及

在所述导电承载晶片上形成接触垫，该接触垫形成在所述不同方向上。

16.如权利要求15所述的方法，其中所述导电承载晶片包括硅、金属、AlN或直接敷铜。

17.如权利要求15所述的方法，其中所述接合金属层包括包含Cu、Au和Sn之一的合金。

18.如权利要求10所述的方法，其中所述源极接触垫、所述漏极接触垫和所述栅极接触垫是金属垫或高掺杂硅垫。