[发明专利]交联金属卟啉纳米晶及其制备方法和光探测器的制作方法

权利要求书

1.一种交联金属卟啉纳米晶结构，其特征在于，金属卟啉纳米线相互交联成一维网状或枝状结构。 

2.根据权利要求1所述交联金属卟啉纳米晶，其特征在于，所述金属卟啉纳米线直径为10~2000nm；长度为5~1000μm。 

3.一种如权利要求1或2所述交联金属卟啉纳米晶的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：将金属卟啉化合物充分溶解于有机溶剂中形成混合溶液；将所述混合溶液转移到接收板上，再进行退火处理；所述混合溶液中金属卟啉化合物的浓度为0.05~10mg/mL。 

4.根据权利要求3所述交联金属卟啉纳米晶的制作方法，其特征在于，所述退火处理是控制温度50~150℃，保持10~60分钟。 

5.根据权利要求3所述交联金属卟啉纳米晶的制作方法，其特征在于，所述有机溶剂包括氯仿、氯苯、二甲苯、邻二氯苯、丙二醇甲醚醋酸酯、乙二醇甲醚醋酸酯、辛烷中至少一种。 

6.根据权利要求3所述交联金属卟啉纳米晶的制作方法，其特征在于，所述金属卟啉化合物的中心金属元素是锌、钴、镍、铟、铜、镁或铂。 

7.根据权利要求3所述交联金属卟啉纳米晶的制作方法，其特征在于，所述转移方法包括旋涂、滴膜、浸泡、辊涂、电纺丝、气溶胶喷印、喷墨印刷、凹版印刷或丝网印刷中的一种。 

8.一种如权利要求3-7任一项所述交联金属卟啉纳米晶的制作方法，其特征在于，所述金属卟啉化合物用在卟啉环上带有取代基的金属卟啉衍生物代替。 

9.根据权利要求8所述所述交联金属卟啉纳米晶的制作方法，其特征在 于，所述取代基为酯基、羟基或不超过4个碳原子的烷基至少一种。 

10.一种底栅型光探测器的制作方法，包括基底、光探测层、栅极和源、漏电极，其特征在于，所述光探测层的制作步骤是将金属卟啉化合物充分溶解在有机溶剂中形成混合溶液，将所述混合溶液转移至接收板上，退火处理形成交联金属卟啉纳米晶。 

11.根据权利要求10所述光探测器的制作方法，其特征在于，所述混合溶液中金属卟啉化合物的浓度为0.05~10mg/mL。 

12.根据权利要求10所述光探测器的制作方法，其特征在于，所述退火处理是控制温度50~150℃，保持10~60分钟。 

13.根据权利要求10所述光探测器的制作方法，其特征在于，所述有机溶剂包括氯仿、氯苯、二甲苯、邻二氯苯、丙二醇甲醚醋酸酯、乙二醇甲醚醋酸酯、辛烷中至少一种。 

14.根据权利要求10所述光探测器的制作方法，其特征在于，所述金属卟啉化合物的中心金属元素是锌、钴、镍、铟、铜、镁或铂。 

15.根据权利要求10所述光探测器的制作方法，其特征在于，所述转移方法包括旋涂、滴膜、浸泡、辊涂、电纺丝、气溶胶喷印、喷墨印刷、凹版印刷或丝网印刷中的一种。 

16.根据权利要求10所述光探测器的制作方法，其特征在于，所述接收板是绝缘层或源、漏电极中至少一种。