[发明专利]一种准单晶硅的清洗方法

权利要求书

1.一种准单晶硅的清洗方法，其特征在于，包括：

a）将待清洗的准单晶硅进行手动超声酸洗和预冲洗；

b）将步骤a）预冲洗后的准单晶硅进行超声酸洗；

c）将步骤b）超声预酸洗后的准单晶硅在水中进行手动脱胶；

d）将手动脱胶后的准单晶硅硅进行超声清洗。

2.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，步骤a（具体为：

a1）将待清洗的准单晶硅进行手动超声酸洗；

a2）将步骤a1）手动超声酸洗后的准单晶硅按顺序进行一次喷淋和一次超声清洗；

a3）重复步骤a2）的操作2~3次。

3.根据权利要求2所述的清洗方法，其特征在于，所述手动超声酸洗具体为：

将准单晶硅在浓度为4.1~8.3g/mL，温度为20-35℃的草酸溶液中浸泡，手动开启超声装置，进行超声酸洗5~15min。

4.根据权利要求2所述的清洗方法，其特征在于，步骤a2）中一次喷淋时间为200~300s，一次超声清洗的时间为200~300s。

5.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，步骤b）具体为：

将步骤a）预冲洗后的准单晶硅在浓度为4.1~5g/mL，温度为30±2℃的草酸水溶液中，超声酸洗5-7min。

6.根据权利要求1所述的清洗方法，其特征在于，步骤c）具体为：

将步骤b）超声预酸洗后的准单晶硅在50-55℃水中进行手动脱胶；所述水浸到粘胶面倒角10-15mm以上，手动脱胶6-12min，浇水频率1-2次/min。

7.根据权利要求1所述的清洗方法，步骤d）具体为：

d1）将步骤c）手动脱胶后的准单晶硅进行超声酸洗；

d2）将步骤d1）超声酸洗后的准单晶硅进行超声水洗；

d3）将步骤d2）超声水洗后的准单晶硅进行超声乳化；

d4）将步骤d3）超声乳化后的准单晶硅进行超声水洗。

8.根据权利要求7所述的清洗方法，其特征在于，步骤d1）具体为：

草酸槽2.5kg，鼓泡，温度50±2℃，洗4000pcs更换。

9.根据权利要求7所述的清洗方法，其特征在于，步骤d3）具体为：

将步骤d2）超声水洗后的准单晶硅在洗涤剂或洗涤剂和氢氧化钠的混合溶液中，温度为45~55℃下，进行超声乳化。

10.根据权利要求7所述的清洗方法，其特征在于，所述超声酸洗、超声乳化和超声水洗中的超声震动强度大于0.42W/㎝²，温度为50~60℃。