[发明专利]钇掺杂氮化铝稀磁半导体准阵列微米管及其制备方法

权利要求书

1.一种钇掺杂氮化铝稀磁半导体准阵列微米管，其特征是，微米管呈六边形柱状结构，管的外表面光滑，内部有凹凸不平的褶皱，形成多孔结构；微米管平均直径为20μm，平均长度为100μm。

2.根据权利要求1所述的钇掺杂氮化铝稀磁半导体准阵列微米管，其特征是，钇掺杂氮化铝稀磁半导体准阵列微米管中，钇的掺杂量按质量计占微米管总质量的1.4%~1.7%。

3.一种权利要求1的钇掺杂氮化铝稀磁半导体准阵列微米管的制备方法，以摩尔比为95∶5的Al粉和Y粉为原料，以氮气为反应气体，在直流电弧等离子体放电装置中进行制备；将Al粉和Y粉压成块体，置于石墨坩埚内，放入直流电弧放电装置的反应室内的铜锅阳极中，铜锅阳极、阴极钨杆以及冷凝壁中均通入循环冷却水；将反应室抽真空至气压低于1Pa，充入反应气体至压力为10~20kPa开始放电；引弧时调整电弧电流为100~150A，保持电弧稳定时电压为15~25V，正弧柱区长度为0.5~1.5cm，放电3~5min后切断电源反应结束；保持反应室循环冷却水持续流通，静置至悬浮的粉尘完全沉积后，充入氩气至内部压力为30~60kPa，钝化产物4~6h；打开真空室，在钨杆的阴极沉积区收集毛绒状块体。

4.根据权利要求3所述的钇掺杂氮化铝稀磁半导体准阵列微米管的制备方法，其特征是，所述的原料，质量纯度不低于99.99%；所述的反应气体，体积分数不小于99.99%。

5.根据权利要求3或4所述的钇掺杂氮化铝稀磁半导体准阵列微米管的制备方法，其特征是，所述的反应室抽真空，可以在充入反应气体前先将反应室抽真空至气压低于1Pa，充入体积分数为99.99%的氮气，再抽真空至低于1Pa，以洗去反应室中残余的空气。

6.根据权利要求3或4所述的钇掺杂氮化铝稀磁半导体准阵列微米管的制备方法，其特征是，充入反应气体至压力10kPa开始放电，引弧时调整电弧电流为150A，保持电弧稳定时电压为15V，正弧柱区长度为0.5cm，放电3min后切断电源反应结束。